JEOL: Lancering van HAXIS: de nieuwe rasterelektronenmicroscoop met ionenpolijstsysteem onder een kleine hoek

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--JEOL Ltd. kondigt de ontwikkeling aan van HAXIS, zijn nieuwe rasterelektronenmicroscoop met ionenpolijstsysteem onder een kleine hoek, en start de verkoop vandaag op 5 oktober 2026.

HAXIS rasterelektronenmicroscoop met ionenpolijstsysteem onder een kleine hoek

Achtergrond van de ontwikkeling

Naarmate de structuren van geavanceerde halfgeleidercomponenten steeds kleiner en complexer worden, is het moeilijker geworden om met behulp van nanomanipulatoren contact te maken met circuits op microschaal en deze te meten. Bovendien kan het contact dat ontstaat door het aanraken met een sonde het analyseobject beïnvloeden, waardoor nieuwe methoden voor foutanalyse nodig zijn.

JEOL heeft langdurig onderzoek gedaan naar de detectietechnologie op basis van passief spanningscontrast (PVC). Door de verdere ontwikkeling van detectoren en monsterbereidingstechnieken heeft het een methode ontwikkeld voor stabiele, zeer reproduceerbare PVC-observatie.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.