JEOL：HAXIS新品上市：全新低角度离子铣削扫描电子显微镜

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- JEOL Ltd.（总裁兼首席执行官：Izumi Oi）宣布开发出全新的低角度离子铣削扫描电子显微镜HAXIS，并将于2026年10月5日开始销售。

HAXIS低角度离子铣削扫描电子显微镜

开发背景

随着先进半导体器件结构持续微缩并日趋复杂，使用纳米操纵器对微观电路进行接触与测量变得越来越困难。此外，探针接触可能会影响分析对象，因此需要新的失效分析方法。

JEOL长期致力于被动电压反差(PVC)检测技术的研究，并通过探测器与样品制备技术的进步，建立了一套稳定、高度可重复的PVC观察技术方法。

HAXIS正是JEOL融合上述技术打造的全新半导体失效分析平台。

即便面对先进半导体，HAXIS也能实现清晰且高度可重复的PVC观察。它在尽可能减小加工损伤与污染影响的同时，以可视化方式检出电学异常，从而高效定位缺陷位置并判定成因。采用惰性气体氩(Ar)可确保稳定的表面质量，并降低运行成本。

PVC观察的质量在很大程度上受去层(delayering)后样品表面状态的影响。HAXIS采用独一无二的、基于氩离子束的低角度离子铣削(LIM)去层技术，可在最大限度降低样品表面损伤的同时形成平整表面。由此，即便在先进器件中，也能在保留结构信息与潜在信息的同时，实现清晰且高度可重复的PVC观察。

半导体失效分析涉及从缺陷定位到物理分析、再到根因调查的多个步骤。随着器件复杂度不断提升，缩短从失效检出到产出可执行结果的周转时间变得愈发关键。

HAXIS将LIM去层与SEM成像和被动电压反差(PVC)分析融为一体，为失效定位引入了一种全新方法。这一组合式工作流能够快速且高精度地识别失效位置，支持QTAT（快速周转时间）失效分析，并加速从电学失效检出到物理分析及根因识别的过渡。

主要特性

1. 清晰的PVC成像
2. 具有成本效益的氩加工
3. 基于LIM的无损伤去层
4. 逐层LIM/PVC分析
5. 无污染的样品传输

销售目标

15台/年

产品概览

HAXIS LIM-SEM多束系统
https://www.jeol.com/products/scientific/sem/haxis.php

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