JEOL：HAXIS上市銷售：全新低角度離子研磨掃描電子顯微鏡

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- JEOL Ltd.（總裁兼執行長：Izumi Oi）宣布開發出全新的低角度離子研磨掃描電子顯微鏡HAXIS，並將於2026年10月5日開始銷售。

HAXIS低角度離子研磨掃描電子顯微鏡

研發背景

隨著先進半導體元件結構不斷縮小並日趨複雜，使用奈米操縱器對微尺度電路進行接觸與量測變得越來越困難。此外，探針接觸可能會影響分析對象，因此需要新的失效分析方法。

JEOL長期致力於被動電壓對比(PVC)偵測技術的研究，並透過探測器與樣品製備技術的進步，建立了一套穩定、高再現性的PVC觀察技術方法。

HAXIS正是JEOL融合上述技術打造的全新半導體失效分析平台。

即便面對先進半導體，HAXIS也能實現清晰、高再現性的PVC觀察。它在盡可能減小加工損傷與污染影響的同時，以視覺化方式檢出電學異常，從而高效定位缺陷位置並判定成因。採用惰性氣體氬氣(Ar)可確保穩定的表面品質，並降低運行成本。

PVC觀察的品質在很大程度上受層次去除(delayering)後樣品表面狀態的影響。HAXIS採用獨一無二的、以氬氣離子束為基礎的低角度離子研磨(LIM)層次去除技術，可在充分降低樣品表面損傷的同時形成平整表面。由此，即便在先進元件中，也能在保留結構資訊與潛在資訊的同時，實現清晰、高再現性的PVC觀察。

半導體失效分析涉及從缺陷定位到實體分析、再到根本原因調查的多個步驟。隨著元件複雜度不斷提升，縮短從失效檢出到產出可執行結果的週轉時間變得愈發關鍵。

HAXIS將LIM層次去除與SEM影像和被動電壓對比(PVC)分析融為一體，為失效定位引進了一種全新方法。這一組合式工作流程能夠快速且高精確度地辨識失效位置，支援QTAT（快速週轉時間）失效分析，並加快從電學失效檢出到實體分析及根本原因辨識的轉換。

主要特性

1. 清晰的PVC影像
2. 具有成本效益的氬氣加工
3. 以LIM為基礎的無損傷層次去除
4. 逐層LIM/PVC分析
5. 無污染的樣品傳輸

銷售目標

15台/年

產品概覽

HAXIS LIM-SEM多束系統
https://www.jeol.com/products/scientific/sem/haxis.php

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