JEOL: Markteinführung von HAXIS: Das neue Rasterelektronenmikroskop mit Low-Angle-Ionenfräsen

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--JEOL Ltd. (Präsident und CEO Izumi Oi) gibt die Entwicklung seines neuen Rasterelektronenmikroskops mit Low-Angle-Ionenfräsen, HAXIS, bekannt und wird am 5. Oktober 2026 mit dem Verkauf beginnen.

HAXIS – Rasterelektronenmikroskop mit Low-Angle-Ionenfräsen

Hintergrund der Entwicklung

Da die Strukturen moderner Halbleiterbauelemente immer kleiner und komplexer werden, ist es zunehmend schwierig geworden, mikroskalige Schaltkreise mit Nanomanipulatoren zu berühren und zu messen. Zudem kann der durch die Abtastung verursachte Kontakt das Analyseobjekt beeinträchtigen, was neue Methoden der Fehleranalyse erforderlich macht.

JEOL hat langjährige Forschungsarbeiten zur Passive-Voltage-Contrast-Detektionstechnologie (PVC) durchgeführt und durch die Weiterentwicklung von Detektoren und Probenvorbereitungstechniken ein Verfahren für eine stabile, hochgradig reproduzierbare PVC-Beobachtung etabliert.

HAXIS ist die neue Plattform von JEOL für die Fehleranalyse von Halbleitern, die diese Technologien vereint.

Sie ermöglicht eine klare und hochgradig reproduzierbare PVC-Beobachtung selbst bei hochentwickelten Halbleitern. Durch die visuelle Erkennung elektrischer Anomalien bei gleichzeitiger Minimierung der Auswirkungen von Verarbeitungsschäden und Verunreinigungen ist es möglich, die Fehlerstelle effizient zu identifizieren und die Ursache zu ermitteln. Die Verwendung des Inertgases Argon (Ar) gewährleistet eine stabile Oberflächenqualität und senkt die Betriebskosten.

Die Qualität der PVC-Beobachtung wird maßgeblich durch den Oberflächenzustand der Probe nach dem Abtragen der Schichten beeinflusst. HAXIS nutzt eine einzigartige LIM-Technik (Low-Angle Ion Milling) unter Verwendung von Ar-Ionenstrahlen, um eine ebene Oberfläche mit minimaler Beschädigung der Probenoberfläche zu erzeugen. Dies ermöglicht eine klare und hochgradig reproduzierbare PVC-Beobachtung unter Beibehaltung von Struktur- und Potentialinformationen selbst bei hochentwickelten Bauelementen.

Die Fehleranalyse von Halbleitern umfasst mehrere Schritte, von der Lokalisierung des Defekts über die physikalische Analyse bis hin zur Untersuchung der Grundursache. Mit zunehmender Komplexität der Bauelemente wird es immer wichtiger, die Durchlaufzeit von der Fehlererkennung bis hin zu verwertbaren Ergebnissen zu verkürzen.

HAXIS stellt einen neuen Ansatz zur Fehlerlokalisierung vor, bei dem die LIM-Schichtabtrennung mit SEM-Bildgebung und passiver Spannungskontrastanalyse (PVC) kombiniert wird. Dieser kombinierte Arbeitsablauf ermöglicht eine schnelle und hochpräzise Identifizierung von Fehlerorten, unterstützt die QTAT-Fehleranalyse (Quick Turnaround Time) und beschleunigt den Übergang von der elektrischen Fehlererkennung zur physikalischen Analyse und Ursachenermittlung.

Hauptmerkmale

1. Klare PVC-Bildgebung
2. Kostengünstige Ar-Bearbeitung
3. Schadensfreie Entschichtung mit LIM
4. Schichtweise LIM-/PVC-Analyse
5. Kontaminationsfreier Transfer

Absatzziel

15 Einheiten/Jahr

Produktübersicht

HAXIS LIM-SEM-Multistrahlsystem
https://www.jeol.com/products/scientific/sem/haxis.php

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