Kioxia发布面向人工智能应用的KIOXIA GP1系列超高IOPS固态硬盘

采用KIOXIA XL-FLASH™闪存的PCIe^Ⓡ6.0固态硬盘实现1000万次IOPS

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日发布了KIOXIA GP1系列PCIe^®6.0 NVMe™固态硬盘，这是其专为GPU直接访问优化设计的KIOXIA GP系列超高IOPS固态硬盘的首款产品。KIOXIA GP1系列基于今年早些时候推出的KIOXIA GP系列技术¹，采用KIOXIA XL-FLASH™第二代闪存，可提供高达1000万次随机读取IOPS²，通过基于闪存的内存扩展，帮助满足人工智能基础设施日益增长的性能和内存需求。评估样品将于2026年底前向部分客户提供³。KIOXIA GP1系列将在8月4至6日于加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS：内存与存储未来”（FMS: the Future of Memory and Storage）大会中展出。

KIOXIA GP1系列旨在支持新兴的人工智能存储架构，该架构将高带宽内存（HBM）扩展为基于高速闪存介质的存储层。这种方法使人工智能系统能够以远低于增加更多HBM的成本访问更大的数据集⁴，同时提高GPU的利用率。

KIOXIA GP1系列SSD采用KIOXIA XL-FLASH第二代低延迟、高性能闪存，与传统的基于TLC的SSD相比，可提供显著提高的IOPS⁴、更精细的512字节数据访问，以及更低的每I/O功耗。该架构的设计旨在实现性能扩展，从当前的1000万次随机读取IOPS提升至未来世代产品所瞄准的最高1亿次IOPS。

KIOXIA GP1系列的主要特点包括：

• 符合PCIe^®6.0和NVMe™ 2.2规范
• 采用KIOXIA XL-FLASH第二代低延迟闪存
• 以512字节的块大小计算，随机读取IOPS最高可达1000万²
• 提供E3.S、E1.S 9.5毫米/15毫米规格，其中E3.S和E1.S 9.5毫米规格支持冷板液冷（所有规格均支持传统风冷环境）
• 最高50 DWPD耐受度⁵

注：

1：Kioxia宣布推出专为人工智能GPU驱动的工作负载优化的新型固态硬盘
（https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2026/20260317-1.html）

2：读写速度可能会因各种因素而有所不同，例如主机设备、软件（驱动程序、操作系统等）以及读写条件。

3：这些样品仅用于功能检测，量产时的规格可能与样品有所不同。

4：截至2026年7月28日，根据Kioxia的调查。

5：DWPD：每日全盘写入次数。每天一次全盘写入是指在指定工作负载下，驱动器在指定使用寿命内每天可进行一次全盘容量的写入和重写。实际结果可能因系统配置、使用情况和其他因素而异。

容量定义：Kioxia Corporation将兆字节(MB)定义为1,000,000字节，千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节，太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节。然而，计算机操作系统使用2的幂次方来报告存储容量，即1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节，1TB = 2^40字节 = 1,099,511,627,776字节，因此显示的存储容量较少。可用存储容量（包括各种媒体文件的示例）将根据文件大小、格式、设置、软件和操作系统，以及/或者预装的软件应用程序或媒体内容而异。实际格式化容量可能会有所不同。

NVMe是NVM Express, Inc.在美国及其他国家/地区的注册或未注册商标。

PCIe是PCI-SIG的注册商标。

其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月从1987年发明了NAND闪存的公司Toshiba Corporation剥离出来。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。

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