-

キオクシア:AIアプリケーション向けSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」の開発について

1,000万IOPSを実現するKIOXIA XL-FLASH™採用のPCIe® 6.0 SSD

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、AIアプリケーション向けにGPUによるダイレクトアクセスと最大1,000万IOPS注1の高速ランダムリードを実現するSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を開発しました。PCIe® 6.0およびNVMe™に対応し、第2世代KIOXIA XL-FLASH™フラッシュメモリを採用したKIOXIA GP1シリーズは、2026年3月に開発を発表したKIOXIA GPシリーズ注2の最初の製品となります。フラッシュメモリベースのメモリ拡張を可能にすることで、AIインフラにおいて増大する性能およびメモリ需要への対応に貢献します。本製品の評価用サンプルは、2026年末までに限定顧客向けにサンプル出荷を開始する予定で注3、2026年8月4日から6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: The Future of Memory and Storage」で展示されます。

KIOXIA GP1シリーズは、高帯域幅メモリ(HBM)を高速なフラッシュメモリベースの階層として拡張する新しいAIストレージアーキテクチャーに対応し、AIシステムはHBMを増設する場合と比べて大幅に低いコスト注4でより大規模なデータセットにアクセスすることが可能となり、GPU利用効率の向上にも寄与します。

低遅延かつ高性能な第2世代KIOXIA XL-FLASHフラッシュメモリを採用したKIOXIA GP1シリーズSuper High IOPS SSDは、従来のTLCベースSSDと比較して、大幅に高いIOPS性能注4、512バイト単位の細かいデータ単位でのアクセス、I/O当たりの低消費電力を実現します。本アーキテクチャーは、現在の1,000万ランダムリードIOPSから、将来的には最大1億IOPSを目指した拡張を視野に設計されています。

KIOXIA GP1シリーズの主な特長

  • PCIe® 6.0およびNVMe™ 2.2規格に対応
  • 低遅延フラッシュメモリ第2世代KIOXIA XL-FLASH™を採用
  • 512バイト単位で最大1,000万ランダムリードIOPS注2
  • E3.SおよびE1.S 9.5 mm / 15mmのフォームファクターをラインアップ、E3.SおよびE1.S 9.5 mmフォームファクターは空冷・液冷に対応(すべてのフォームファクターで従来の空冷環境に対応)
  • 最大50 DWPDの高耐久性注5

注1 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
注2 AI・GPU 主導のワークロードに最適化した新しいSSDモデルを発表
https://www.kioxia.com/ja-jp/business/news/2026/20260317-1.html
注3 本サンプルは機能評価用です。本サンプルは量産時と仕様が異なる場合があります。
注4 2026年7月28日時点、キオクシア調べ。
注5 DWPD: Drive Writes Per Day。総書き込み容量 (TBW) をドライブユーザー容量 (TB) と定格寿命の日数で除した値です。ドライブ容量を1単位として、平均して毎日何単位書き込むと定格寿命到達時に総書き込み容量 (TBW) に達するかを示しています。

*記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。

*NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
*PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
*その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
プロモーションマネジメント部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

Kioxia Corporation


Release Versions

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
プロモーションマネジメント部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

キオクシア:AIワークロード向けCXL™対応のメモリ拡張モジュールKIOXIA XL1シリーズの出展について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、8月4日から6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: The Future of Memory and Storage」のキオクシアブースにて、Compute Express Link™(CXL™)対応メモリ拡張モジュール KIOXIA XL1シリーズ を参考出展します。同製品は低遅延・高性能なフラッシュメモリ XL-FLASH™ を搭載しており、主にストレージ用途に用いられてきたフラッシュメモリをメモリ拡張用途として活用し、AIワークロードへの適用を想定して設計・開発を進めております。2026年8月中に業界パートナー向けに評価用サンプル出荷を予定しています。 昨今、AIワークロードの増加に伴い、データセンターにおけるメモリ需要が顕著に高まっており、容量不足やコスト増などが深刻な課題となっています。こうした背景を受け、キオクシアは、ハイパースケール環境向けのメモリ拡張ソリューションの実証・評価を進めています。低遅延・高性能なフラッシュメモリXL-FLASH™とCXL™インタ...

キオクシア:第10世代BiCS FLASH™フラッシュメモリを採用したキオクシア初のPCIe® 6.0エンタープライズSSDの開発について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、最新の第10世代BiCS FLASH™ TLCフラッシュメモリを搭載したエンタープライズSSD「KIOXIA CM10シリーズ」を開発しました。 AI推論やコンテキストキャッシュなど、高い性能が求められるエンタープライズおよびAIワークロード向けに設計されています。NVIDIA CMX™コンテキストメモリストレージアーキテクチャーに対応し、前世代のKIOXIA CM9シリーズと比較して性能、電力効率、冷却の柔軟性において大幅な向上を実現しています。本製品は、限定顧客向けにサンプル出荷を開始し[1]、2026年8月4日から6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: The Future of Memory and Storage」で展示される予定です。 KIOXIA CM10シリーズは、キオクシア初のPCIe® 6.0対応エンタープライズSSDであり、コールドプレートによる直接液冷(DLC: Direct Liquid Cooling)方式に対応しています。これにより、次世代A...

キオクシア:第9世代BiCS FLASH™ 1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、第9世代のBiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ技術を適用した1Tb(テラビット)TLC(Triple-Level-Cell、3ビット/セル)製品のサンプル出荷(注1)を開始しました。本製品は、主にAI搭載PCやスマートフォンなど、低容量から中容量帯で高性能が求められるアプリケーションをターゲットとしています。 キオクシアは、革新的なCMOS directly Bonded to Array(CBA)技術(注2)とOn Pitch Select Gate Drain(OPS)技術(注3)を活用した独自の二軸の開発戦略のもと、既存世代のメモリセル技術と最新のCMOS技術を融合することで投資コストを抑えつつ高性能を実現する製品群(第9世代)と、積層数を増加させて大容量かつ高性能を実現する製品群(第10世代)の展開を進めています。 本製品は、第8世代をベースとした230層積層プロセスのメモリセル技術と、最新のCMOS技術を採用しています。これにより、NANDインターフェース速度は、第8世代比で...
Back to Newsroom