-

Kioxia与Sandisk将在日本投资超过310亿美元,巩固存储行业领先地位

持续至2032年的投资将进一步巩固两家公司由来已久的合资企业关系,并推动形成意义深远的多年期闪存供应

此次投资契合日本政府的经济政策目标,也体现了稳固的美日关系

东京和加州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK)今日宣布,拟在日本进行重大投资,总额超过310亿美元(约合5万亿日元),具体实施以政府支持为前提。持续至2032年的投资将继续巩固Kioxia与Sandisk的合作伙伴关系——这是跨行业领域最成功的合资企业之一。该合作推动了NAND闪存领域数十年的技术创新,并于过去25年间在日本累计投资超过500亿美元(约合9万亿日元)。Kioxia与Sandisk将继续提供领先技术,以满足AI和数据驱动世界日益增长的需求。

此次投资将顺应市场趋势,支持四日市工厂和北上工厂的持续基础设施建设,以及相关基础设施与技术升级。Kioxia与Sandisk均承诺推动有意义的多年期比特量增长,并确保稳定供应,以应对市场对其创新闪存技术的强劲需求。基于上述承诺,此次宣布的投资旨在助力合资企业取得长期成功,提升其规模化、稳定交付前沿闪存创新成果的能力。

Kioxia总裁兼首席执行官Hiroo Ota表示:“此次联合投资进一步巩固了我们与Sandisk的长期合作伙伴关系,也彰显了Kioxia对于推动AI驱动型社会发展的坚定承诺。Kioxia将持续满足市场对大容量、高性能、低功耗闪存日益增长的需求,这类闪存是AI驱动型社会发展的关键支撑。我们衷心感谢日本政府迄今给予的支持,并认识到其持续的战略支持对于我们进一步提升全球竞争力的重要意义。”

Sandisk Corporation董事长兼首席执行官David Goeckeler表示:“数十年来,Sandisk与Kioxia一直携手研发世界级的NAND闪存技术。结合我们的业务战略与财务指引,这些计划中的投资将确保我们能够满足客户对本公司技术日益增长的需求,同时为我们运营所在社区带来新的经济机遇,并成为美日经济合作的典范。”

此次投资契合高市政府的经济政策目标,通过扩大尖端半导体技术的先进制造规模,支持这一具有重要战略意义的行业。

今年1月,Kioxia与Sandisk宣布将双方在Kioxia四日市工厂的合资框架延长至2034年12月。通过这一已持续25年以上的合资合作,Kioxia与Sandisk在闪存晶圆研发与制造领域携手同行。此次公告体现了双方长期合作关系的稳固性,以及其利用AI赋能的智能制造技术实现规模化生产、确保先进3D闪存稳定量产的能力。

关于Sandisk

Sandisk依托三十余年的创新积淀,是一家垂直整合的全球半导体企业,致力于提供存储技术,帮助个人与企业释放数据潜能。从驱动AI基础设施的企业级SSD,到边缘侧的消费类设备与互联系统,Sandisk设计并制造为现代数字经济赋能的存储解决方案。如需了解更多信息,请访问www.sandisk.com

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

SANDISK和SANDISK标识是Sandisk Corporation或其附属公司在美国和/或其他国家的注册商标或商标。所有其他标志均为其各自所有者的财产。

© Sandisk Corporation或其附属公司2026年版权所有。保留所有权利。

前瞻性声明

本新闻稿包含美国联邦证券法所定义的前瞻性陈述,包括但不限于关于以下预期的陈述:Sandisk Corporation(简称“公司”)与Kioxia Holdings Corporation在日本的计划投资,包括投资的时间、金额、范围、预期用途及预期收益;四日市工厂和北上工厂的持续基础设施建设;人工智能和数据驱动型应用对高性能闪存技术需求的影响,以及公司满足此类需求的能力;两家公司的长期合资合作,包括其持久性、长期成功,以及规模化、稳定交付前沿闪存创新成果的能力;公司投资对支持经济增长、区域经济发展、合资企业长期增长目标、多年期比特供应增长及先进制造规模的作用,以及这些投资对美日关系的影响。这些前瞻性陈述基于当前预期,并且受到各种风险和不确定性的影响,可能导致实际结果与前瞻性陈述中明示或暗示的内容存在重大差异。可能导致实际结果与前瞻性陈述中明示或暗示的内容大相径庭的主要风险和不确定性包括:全球或区域经济状况的不利变化,包括不断演变的贸易政策、关税制度及贸易战的影响,以及全球公共卫生危机的影响;公司产品需求的波动;定价趋势及平均售价波动;通货膨胀;利率变化及潜在的经济衰退;业务与市场状况的影响;竞争产品与定价的影响;基于新技术的产品的研发与推出,以及对技术转型的管理;与战略举措相关的风险,包括重组、收购、资产剥离、成本节约措施及合资企业;与产品缺陷相关的风险;产品量产、制造或其他供应链中断方面的困难或延迟;对与关键合作伙伴(包括Kioxia Corporation)的战略关系的依赖;与公司长期协议或“NBM”相关的风险;经营业绩波动,包括因需求变化、行业周期及客户部署时间导致的波动,以及公司准确预测需求的能力;对熟练管理和技术人才的吸引、留任与培养;与公司业务运营中使用人工智能相关的风险;与财务担保及其他财务义务相关的风险;与公司股票回购计划相关的风险;公司与主要客户关系的变化,或公司客户基础的整合;网络安全事件或其他数据系统安全风险导致的数据泄露、损害或中断;对知识产权的依赖;汇率波动;竞争对手的行动;与遵守不断变化的法律法规要求相关的风险;以及公司在向美国证券交易委员会(“SEC”)提交的文件中列出的其他风险和不确定性,包括公司于2026年8月17日向SEC提交的Form 10-K年度报告,敬请关注。您不应过度依赖上述前瞻性陈述,这些陈述仅反映截至本新闻稿发布之日的情况。除法律要求外,公司不承担因新信息或事件更新或修订这些前瞻性陈述的义务。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Sandisk
媒体垂询
mediainquiries@sandisk.com

投资者
investors@sandisk.com

Kioxia
媒体垂询
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia将在北上工厂新建Fab3以扩大3D闪存产能

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今日宣布,已启动位于日本岩手县北上工厂的全新先进制造设施Fab3的场地准备及其他相关建设工作,以扩大其先进三维闪存BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧地块,预计将于2029财年开始运营。 在智能体AI、物理AI和设备端AI的驱动下,闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。通过建设Fab3,Kioxia旨在扩大生产并确保尖端闪存产品的稳定供应,从而满足不断增长的市场需求。 Fab3的建设进度和设备投资等详细计划将根据市场趋势确定。Fab3的投资计划取决于政府的支持。 秉承“提升世界的‘记忆’”的使命,Kioxia将继续致力于把握不断增长的需求、进行战略性资本投资,并追求稳健和可持续的增长。 免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。...

KIOXIA GP系列超高IOPS SSD荣获2026年FMS:未来内存与存储展“最佳展品”大奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其KIOXIA GP系列PCIe® NVMe™ SSD已荣获FMS:未来内存与存储展“专业存储”类别的“最佳展品”大奖。“最佳展品”奖旨在表彰卓越的产品与解决方案,嘉奖那些正在塑造内存与存储行业未来的企业与技术。 KIOXIA GP1 PCIe 6.0 SSD是GP系列的一员,专为AI基础设施打造,也是业界首款*1专为GPU直接访问优化的超高IOPS PCIe® SSD。它搭载了KIOXIA XL-FLASH™第二代低延迟闪存,在512字节数据访问下可提供高达1000万随机读取IOPS*2,让闪存能够作为高性能内存扩展层,帮助提升AI工作负载的GPU利用率。 未来内存与存储展大会总监George Mullins表示:“随着AI基础设施不断演进,存储正成为下一代系统架构的关键推动因素。KIOXIA GP系列体现了KIOXIA在闪存和AI存储技术上的持续创新。通过以前瞻性的存储架构满足新兴的AI基础设施需求,KIOXIA GP系列荣获今年FMS‘专业存储’类别的‘最佳展品’奖可谓实...

Kioxia与Sandisk推出全新3D闪存技术,实现业界最高的QLC NAND比特密度

加州圣克拉拉--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 未来内存与存储大会(FMS)——Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK)今日联合发布其新一代四层单元(QLC) 3D闪存技术。与第八代产品相比,该技术的比特密度提升高达60%,突破37 Gb/mm²,树立了比特密度、性能和能效的行业标杆1。 新一代技术利用两家公司革命性的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术2,将CMOS逻辑电路和存储阵列分别在不同的晶圆上制造,然后通过高精度的晶圆对晶圆对准将它们键合在一起,与第八代3D闪存相比,提高了读写带宽,并成为业界首款达到4.8 Gb/s3接口的QLC 3D闪存技术。 此外,额外的接口改进提升了I/O数据输出的传输能效。这些大幅度的能效升级直接解决了现代AI和云基础设施面临的功耗与散热挑战。 Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示:“随着AI持续支撑社会的进步,其应用正从生成式AI扩展到基于智能体的...
Back to Newsroom