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Kioxia与Sandisk推出全新3D闪存技术,实现业界最高的QLC NAND比特密度

第十代QLC 3D闪存标志着AI存储架构、云平台及数据密集型创新的重大飞跃

加州圣克拉拉--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 未来内存与存储大会(FMS)——Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK)今日联合发布其新一代四层单元(QLC) 3D闪存技术。与第八代产品相比,该技术的比特密度提升高达60%,突破37 Gb/mm²,树立了比特密度、性能和能效的行业标杆1

新一代技术利用两家公司革命性的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术2,将CMOS逻辑电路和存储阵列分别在不同的晶圆上制造,然后通过高精度的晶圆对晶圆对准将它们键合在一起,与第八代3D闪存相比,提高了读写带宽,并成为业界首款达到4.8 Gb/s3接口的QLC 3D闪存技术。

此外,额外的接口改进提升了I/O数据输出的传输能效。这些大幅度的能效升级直接解决了现代AI和云基础设施面临的功耗与散热挑战。

Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示:“随着AI持续支撑社会的进步,其应用正从生成式AI扩展到基于智能体的AI和物理AI,同时数据的使用也变得日益多样化和复杂。QLC技术能够高效存储快速增长的数据量,有助于为AI系统提供更高的性能和可扩展性。Kioxia将加速推进采用QLC技术的第十代闪存产品的商业化开发。”

Sandisk首席技术官Alper Ilkbahar表示:“随着AI训练、推理和超大规模数据中心工作负载推动数据生成量出现前所未有的增长,存储行业面临着提供更大容量、更高性能和更优能效的越来越大的压力。通过重新定义QLC NAND的性能和效率边界,我们的第十代QLC 3D闪存在密度、带宽和能效方面实现了同步提升,确立了大容量闪存存储的新范式,为新一代基础设施应用提供了可扩展的基础。”

第十代QLC 3D闪存技术的主要亮点包括:

  • 与第八代产品相比,332层架构与经过优化的平面布局设计使比特密度提升高达60%,达到37 Gb/mm²以上。
  • 通过Toggle DDR6.0和分离命令地址(SCA)协议实现4.8 Gb/s3 NAND接口,充分释放高速接口的潜力。
  • CMOS直接键合至阵列(CBA)架构增强了密度微缩、性能和制造效率。
  • 电源隔离低抽头终端(PI LTT)提升了I/O数据输出的传输能效。
  1. 截至2026年8月4日,根据Kioxia和Sandisk调查。
  2. 将每个CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在其优化状态下分别制造,然后键合在一起的技术。
  3. 1Gb/s计算为1,000,000,000比特/秒。此数值是在我们特定的测试环境下测得,可能会因使用条件而有所不同。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

关于Sandisk

Sandisk(纳斯达克股票代码:SNDK)提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术,在人们和企业实现愿景与把握机遇的关键交汇点赋能前行,助力其不断突破创新、拓展无限可能。欢迎关注 Sandisk 官方 InstagramFacebookXLinkedInYouTube 账号,也欢迎关注 TeamSandisk 的 Instagram 账号。

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前瞻性陈述

本新闻稿包含美国联邦证券法所定义的前瞻性陈述,包括对于Sandisk Corporation和Kioxia Corporation的BiCS10 QLC技术之性能、能力、能效提升、比特密度和可扩展性的预期;AI训练、推理和超大规模数据中心工作负载的预期增长及其带来的数据生成需求增长;BiCS10 QLC架构对现代AI、云基础设施、超大规模数据中心和企业存储应用的预期收益;以及该技术的预期行业重要性和竞争地位的相关陈述。这些前瞻性陈述基于当前预期,并且受到各种风险和不确定性的影响,可能导致实际结果与前瞻性陈述中明示或暗示的内容存在重大差异。可能导致实际结果与前瞻性陈述中明示或暗示的内容大相径庭的主要风险和不确定因素包括:全球或区域经济环境发生不利变化,包括不断变化的贸易政策、关税制度及贸易战带来的影响;Sandisk产品需求波动;产品定价趋势及平均销售价格波动;长期协议带来的执行、财务及市场风险;通货膨胀;利率变化及潜在经济衰退;商业和市场环境的影响;竞争产品及价格竞争带来的影响;基于新技术的产品的开发和推出,以及对技术迭代的管理;与战略举措相关的风险,包括重组、收购、资产剥离、成本节约措施及合资企业;产品缺陷相关风险;制造困难或延迟,或者其他供应链中断;对与包括Kioxia Corporation在内的主要合作伙伴的战略关系的依赖;娴熟管理人才及技术人才的吸引、留任和培养;与在业务运营中使用人工智能相关的风险;与主要客户的关系变化或客户群的整合;网络安全事件或其他数据系统安全风险导致的数据泄露、数据损坏或业务中断;对知识产权的依赖;汇率波动;竞争对手采取的行动;与遵守不断变化的法律法规要求相关的风险;以及Sandisk向美国证券交易委员会(SEC)提交的文件中列示的其他风险和不确定因素,包括其于2025年8月21日向SEC提交的Form 10-K年度报告,以及于2026年5月1日向SEC提交的Form 10-Q季度报告,敬请查阅。您不应过度依赖上述前瞻性陈述,这些陈述仅反映截至本新闻稿发布之日的情况。除法律另有规定外,Sandisk不承担因新信息或事件更新或修订这些前瞻性陈述的义务。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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