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Toshiba推出适用于工业设备48V电源线路保护的小型80V电子熔断器(eFuse IC)

– 保护功能有助于提高电路安全性;业界领先[1] 的小型封装有助于节省电路板空间 –

川崎市,日本--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)在其具备多种内置电源线路保护功能的电子熔断器(eFuse IC)产品组合中新增了额定电压为80V的TCKE1401NM电子熔断器。该产品自今日起开始出货。

该新产品采用VQFN24D封装,这种业界领先[1]的80V额定电压电子熔断器小型封装,有助于提高电源线保护电路的安全性,并缩小工业设备的PCB尺寸。

随着对更高输出功率和更高效率的需求不断增长,48V电源系统在服务器、网络设备、工厂自动化设备、机器人及其他工业设备中的应用正日益普及。这一转变要求电源线保护电路具备高电压耐受能力及多种保护功能。

电子熔断器是一种半导体熔丝,用于保护下游电路免受异常电流、异常电压及其他故障状况的影响。除了传统物理熔丝[2]提供的短路保护外,它还将多种保护功能(包括过流保护、过压保护、反向电流阻断、输入反极性保护和热关断)集成到单个芯片中,从而实现了功能更强大且结构更紧凑的电源线保护电路。

TCKE1401NM的额定电压为80V,支持4.7V至75V的宽工作电压范围。其高耐压特性使其可用于24V、48V和54V系统的电源线路保护。此外,44.5mΩ(典型值)的低导通电阻(RONON)有助于减少工作过程中的功耗,从而提高设备效率。采用4.0×4.0mm(典型值)的VQFN24D封装有助于缩小PCB尺寸。

电子熔断器主要保护功能包括:当发生过流时控制输出电流的限流功能,以及在过压情况下关闭输出的输出关断功能。这两项功能的工作阈值均可通过外部电阻进行设置。此外,它还具备真正的反向电流阻断和反向连接保护功能,这些功能利用外部MOSFET来保护集成电路本身及下游电路。

这款新型电子熔断器还具备FLAG功能[3](向外部电路发出异常状况的警报)、电源正常功能[4](指示输出电压的状态)以及输出电流监控功能。当发生意外短路或异常发热时,热关断功能会立即关闭此电子熔断器,从而保护下游电路。从异常状态恢复的方法可在两种工作模式之间切换:自动重试模式(电子熔断器自动恢复)和锁存关断模式(由外部信号触发恢复)。

Toshiba将继续开发能够提高电源线路保护安全性与可靠性的电子熔断器,并扩大产品阵容,以满足各种需求。

注:

[1] 作为一款额定电压为80V的电子熔断器(根据Toshiba 2026年8月的调查)。

[2] 例如玻璃管熔断器和芯片电流熔断器。

[3] FLAG功能:当检测到异常情况时,向外部电路输出信号进行通知。

[4] 电源正常功能:当输出电压达到设定值时,向外部电路输出通知信号。

应用

  • 工业设备,例如服务器、网络设备、工厂自动化设备、机器人和多功能打印机
  • 消费类设备,例如电动工具和家用电器

功能

  • 80V额定电压可为最高工作电压为54V的系统提供电源线保护
  • 适用于额定电压为80V的电子熔断器的业界领先[1]小型VQFN24D封装:4.0×4.0mm(典型值),t=0.9mm(最大值)
  • 低导通电阻:RON= 44.5 mΩ(典型值)
  • 多种保护功能,包括过流保护、过压保护、真正的反向电流阻断以及输入反极性保护

主规格

(除非另有说明, Ta =-40至125°C,4.7V≤VIN ≤75V, COUT =1μF)

器件编号

TCKE1401NM

封装

名称

VQFN24D

尺寸 (mm)

4.0×4.0(典型值);t=0.9(最大值)

绝对
最大
额定值

最大输入
电压

VIN[5] (V)

Ta =25°C

-0.3 至 80

VSYS[6] (V)

Ta =25°C

-80 至 80

工作
范围

输入电压VIN (V)

4.7 至 75

工作结温Tj_opr (°C)

-40 至 125

电气
特性

导通电阻R ON
(mΩ)

0.6A≤IOUT ≤6A

典型值

44.5

最大值

80

过流限制
ILIM (A)

VIN -VOUT =1V, RILIM =30kΩ, Ta =25°C

典型值

0.82

VIN -VOUT =1V, RILIM =9kΩ, Ta =25°C

典型值

2.21

VIN -VOUT =1V, RILIM =4.02kΩ, Ta =25°C

典型值

4.83

VIN -VOUT =1V, RILIM =3kΩ, Ta =25°C

典型值

6.43

快速跳闸响应
时间tFASTTRIP (μs)

VIN =48V, 3kΩ≤RILIM ≤6kΩ

典型值

3

快速跳闸比较器阈值IFASTTRIP (A)

典型值

ILIM ×2.0

电流限制
响应时间 tLIM (μs)

ILIM (typ.)×1.4<IOUT <IFASTTRIP,

RILIM =3kΩ, Ta =25°C

典型值

100

样品核对与库存情况

 在线购买

注:

[5] 电源线的输入电压

[6] eFuse IC内部电路的输入电压

点击以下链接,了解有关该新产品的更多信息。
TCKE1401NM

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eFuse IC

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选型指南:小信号和逻辑产品

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用于可靠电源保护的电子熔断器
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球的17,400名员工致力于最大限度提高产品价值,并促进与客户的密切合作,共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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