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Toshiba推出適用於工業設備48V電源線保護的小型80V電子保險絲(eFuse IC)

– 保護功能有助提升電路安全性;業界最小[1] 小型封裝有助節省電路板空間 –

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱「Toshiba」)已在其內建多種電源線保護功能的eFuse IC產品陣容中,新增額定電壓80V的電子保險絲(eFuse IC)「TCKE1401NM」。本日起開始出貨。

新產品採用VQFN24D封裝,此為業界額定電壓80V eFuse IC中最小型[1]的封裝,有助於提升工業設備電源線保護電路的安全性,並縮小PCB尺寸。

隨著對更高輸出功率及更高效率的需求帶動,伺服器、網路設備、工廠自動化設備、機器人及其他工業設備正加速採用48V電源系統。此一轉變要求電源線保護電路具備高耐壓特性及多種保護功能。

eFuse IC是一種半導體保險絲,可保護下游電路免受異常電流、異常電壓及其他故障條件的影響。除了傳統實體保險絲[2]所提供的短路保護之外,它還將多種保護功能——包括過電流保護、過電壓保護、反向電流阻斷、輸入反極性保護及熱關斷——整合至單一晶片中,從而實現功能更強大且更為精巧的電源線保護電路。

TCKE1401NM具備80V額定電壓,支援4.7V至75V的寬廣工作電壓範圍。其高耐壓特性使其可用於24V、48V及54V系統的電源線保護。此外,44.5mΩ(典型值)的低導通電阻(RON)有助於降低工作期間的功率損耗,進而提升設備效率。採用4.0×4.0mm(典型值)的VQFN24D封裝,有助於縮小PCB尺寸。

該eFuse IC的主要保護功能包括:在發生過電流時控制輸出電流的電流限制功能,以及在發生過電壓時關閉輸出的輸出關斷功能。這兩項功能的動作閾值均可透過外部電阻進行設定。此外,它還具備真正的反向電流阻斷及反向連接保護功能,這些功能使用外部MOSFET,可同時保護IC本身及下游電路。

新款eFuse IC亦配備FLAG功能[3],可將異常狀況通知外部電路;電源良好功能[4],可指示輸出電壓狀態;以及輸出電流監測功能。熱關斷功能在發生非預期短路或異常發熱時,會立即關閉eFuse IC,以保護下游電路。從異常狀況中恢復的方式可在兩種運作模式之間切換:自動重試模式,eFuse IC會自動恢復;以及閂鎖關斷模式,恢復動作由外部訊號觸發。

Toshiba將持續開發可強化電源線保護安全性與可靠性的eFuse IC,並擴展產品陣容,以滿足廣泛的需求。

附註:

[1] 以額定電壓80V之eFuse IC而言,根據Toshiba於2026年8月的調查。

[2] 例如玻璃管保險絲及晶片電流保險絲。

[3] FLAG功能:一種在檢測到異常狀況時,輸出訊號以通知外部電路的功能。

[4] 電源良好功能:一種在輸出電壓達到指定值時,輸出訊號以通知外部電路的功能。

應用領域

  • 工業設備,如伺服器、網路設備、工廠自動化設備、機器人及多功能事務機
  • 消費性設備,如電動工具及家用電器

產品特色

  • 額定電壓80V,可支援最高54V運作系統的電源線保護
  • 業界額定電壓80V eFuse IC中最小型[1]的VQFN24D封裝:4.0×4.0mm(典型值),t=0.9mm(最大值)
  • 低導通電阻:RON =44.5mΩ(典型值)
  • 多種保護功能,包括過電流保護、過電壓保護、真正的反向電流阻斷,以及輸入反極性保護

主要規格

(除非另有註明,Ta =-40至125°C,4.7V≤VIN ≤75V,COUT =1μF)

產品型號

TCKE1401NM

封裝

名稱

VQFN24D

尺寸(mm)

4.0×4.0(典型值),t=0.9(最大值)

絕對
最大
額定值

最大輸入
電壓

VIN[5] (V)

Ta =25°C

-0.3至80

VSYS[6] (V)

Ta =25°C

-80至80

工作
範圍

輸入電壓VIN (V)

4.7至75

工作接面溫度Tj_opr (°C)

-40至125

電氣
特性

導通電阻R ON
(mΩ)

0.6A≤IOUT ≤6A

典型值

44.5

最大值

80

過電流限制
ILIM (A)

VIN -VOUT =1V,RILIM =30kΩ,Ta =25°C

典型值

0.82

VIN -VOUT =1V,RILIM =9kΩ,Ta =25°C

典型值

2.21

VIN -VOUT =1V,RILIM =4.02kΩ,Ta =25°C

典型值

4.83

VIN -VOUT =1V,RILIM =3kΩ,Ta =25°C

典型值

6.43

快速跳脫反應
時間tFASTTRIP (μs)

VIN =48V,3kΩ≤RILIM ≤6kΩ

典型值

3

快速跳脫比較器準位IFASTTRIP (A)

典型值

ILIM ×2.0

電流限制
反應時間tLIM (μs)

ILIM(典型值)×1.4<IOUT <IFASTTRIP,

RILIM =3kΩ, Ta =25°C

典型值

100

樣品確認與供貨

線上購買

附註:

[5] 電源線的輸入電壓

[6] eFuse IC內部電路的輸入電壓

請透過以下連結查閱新產品的詳細資訊。
TCKE1401NM

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eFuse IC

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選型指南 - 小型訊號與邏輯

欲查閱Toshiba eFuse IC的相關內容,請瀏覽:
強化電源供應保護的eFuse IC
eFuse IC詞彙表
eFuse IC的基本用法與功能

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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的17,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

如需瞭解更多資訊,請造訪 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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