DNP bereikt een lijnpatroonresolutie van 10 nm op nano-imprintsjabloon voor geavanceerde halfgeleiders

- Ondersteunt halfgeleiders van de 1,4 nm-generatie, verlaagt productiekosten en energieverbruik -

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKIO:7912) heeft vandaag de ontwikkeling aangekondigd van een nano-imprintlithografiesjabloon (NIL) met een circuitlijnbreedte van 10 nanometer (nm: 10^-9 meter). Het nieuwe sjabloon maakt patroonvorming mogelijk voor logische halfgeleiders die gelijkwaardig zijn aan de 1,4 nm-generatie en voldoet aan de miniaturisatiebehoeften van geavanceerde logische halfgeleiders.

Achtergrond en doelstellingen

In lijn met de verschuiving naar geavanceerdere apparaten in de afgelopen jaren, is er vraag ontstaan naar een nog grotere miniaturisatie van geavanceerde halfgeleiders, wat heeft geleid tot vooruitgang in productie op basis van extreem-ultraviolet (EUV) lithografie.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.