-

Kioxia kondigt voltooiing aan van nieuw productiegebouw voor flashgeheugens in de fabriek in Kitakami

Nieuw administratiegebouw in november in gebruik

original Kitakami Plant (K2 is on the left, K1 is on the right) (Photo: Business Wire)

Kitakami Plant (K2 is on the left, K1 is on the right) (Photo: Business Wire)

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider in geheugenoplossingen, heeft vandaag aangekondigd dat de bouw van Fab2 (K2) van zijn toonaangevende Kitakami Plant in juli is voltooid. K2 is de tweede productiefaciliteit voor flashgeheugens in de Kitakami fabriek in de Japanse prefectuur Iwate. Aangezien de vraag zich herstelt, zal het bedrijf geleidelijk kapitaalinvesteringen doen terwijl het de markttrends voor flashgeheugens nauwlettend volgt. Kioxia is van plan om K2 in de herfst van het kalenderjaar 2025 in gebruik te nemen.

Bovendien zullen sommige administratieve en technische afdelingen vanaf november 2024 hun intrek nemen in een nieuw administratief gebouw naast K2 om toezicht te houden op de werking van K2.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Industry:

Kioxia Corporation

Release Versions
EnglishSpanishPortugueseGermanFrenchItalian (Summary)Dutch (Summary)Chinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt kerntechnologie die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maakt

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen i...

Samenvatting: Kioxia en Google werken samen om het gebruik van schone energie in Japan te stimuleren

YOKKAICHI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Als onderdeel van zijn streven naar een duurzamere toekomst heeft Kioxia Corporation (“Kioxia”) vandaag een samenwerkingsinitiatief met Google LLC (“Google”) aangekondigd om het gebruik van schone elektriciteit uit een waterkrachtrenovatieproject in de Japanse regio Chubu te stimuleren. Dit project, dat eigendom is van de Chubu Electric Power-groep, zal naar verwachting de jaarlijkse productie van schone energie verhogen, bijdragen aan de decarbonisatie van he...

Samenvatting: Kioxia en Sandisk kondigen de start aan van Fab2 in de fabriek in Kitakami, Japan, om te voldoen aan de marktvraag die wordt aangedreven door AI

TOKIO & MILPITAS, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een dochteronderneming van Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) en Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK), hebben vandaag de start aangekondigd van Fab2 (K2), een ultramoderne halfgeleiderfabriek in de Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Fab2 heeft de capaciteit om achtste generatie 218-laags 3D-flashgeheugen te produceren, met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS directly Bonded to Array) van de bedrijven, en toekom...
Back to Newsroom