パワー・インテグレーションズがオデッセイ・セミコンダクターの資産を買収

取引を通して、高電圧・大電力のGaN技術を継続的に開発する支援を行う

カリフォルニア州サンノゼ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- エネルギー効率のよい電力変換を行う高電圧の集積回路をリードするパワー・インテグレーションズ（NASDAQ：POWI）は、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスター技術の開発企業オデッセイ・セミコンダクター・テクノロジーズ（OTCQB：ODII）の資産を買収する契約を発表しました。本取引の完了見込みは2024年7月で、その後オデッセイの主要な従業員が全員パワー・インテグレーションズの技術組織に移籍する予定です。

今回の買収は、独自技術「PowiGaN™」について実行中の開発ロードマップを支援するものです。この技術は「InnoSwitch™ IC」や「HiperPFS™-5力率改善IC」、最近発売したシングルステージの複数出力ICである「InnoMux™-2」ファミリーなど、多くの自社製品ファミリーに備えられています。2023年には900ボルト、1250ボルトに対応するPowiGaN技術および製品を投入しました。

パワー・インテグレーションズの技術担当バイス・プレジデントを務めるラドゥ・バーザンは、次のようにコメントしています。「パワー・インテグレーションズは2018年にGaN技術を搭載した製品を出荷し始めてから、GaNの開発と商用化の最前線にいます。当社はシリコンMOSFET並みのコスト推進やPowiGaNの電圧・電力性能の拡大を盛り込んだ意欲的なロードマップを実行しています。目標は、費用対効果が高く大電流・高電圧のGaN技術を商用化し、GaNオーバーSiCが持つ重要な素材の利点を生かして大幅にコストを削減し性能を向上させることで、現在シリコン・カーバイド（SiC）が使われ、より多くの電力を必要とする用途に対応することです。大電流の縦型GaNにおけるオデッセイ・チームの経験は、こうした取り組みを強化、促進するでしょう。彼らが当チームに加わることをうれしく思います。」

オデッセイ共同創業者でCEO（最高経営責任者）のリチャード・ブラウン博士は次のようにつけ加えています。「当社チームも私も、パワー・インテグレーションズに参加してGaN技術ロードマップを加速させることを楽しみにしています。同社は高電圧GaNを初めて商用化した企業として、コスト、電圧、電流、そしてGaN性能の利点を最大限に生かすシステムレベル製品の設計という観点からこの技術を推進する上で、業界をリードし続けています。」

パワー・インテグレーションズについて

パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッドは、高電圧で電力を変換するための半導体技術をけん引するイノベーターです。当社の製品はクリーン電力のエコシステムにおいて重要な構成要素となっており、再生可能エネルギーの生成と、ミリワット規模からメガワット規模にわたる用途での効率的な送電および電力消費を実現します。詳細は www.power.com でご覧ください。

パワー・インテグレーションズ、PowiGaN、InnoSwitch、HiperPFS、InnoMuxおよびパワー・インテグレーションズのロゴは、パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッドの商標または登録商標です。その他すべての商標は各所有者に帰属します。

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