Power Integrations收購Odyssey Semiconductor旗下資產

這場交易有助於該公司繼續發高電壓、高功率氮化鎵技術

加州，聖荷西--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--節能功率轉換之高壓積體電路領導廠商 Power Integrations（納斯達克代號：POWI）今天宣布達成一份協議，將收購垂直型氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies（OTCQB代號：ODII）旗下資產。這場交易的成交日訂於2024年7月，預計Odyssey的所有關鍵員工都將在成交日後加入Power Integrations的技術部門。

這場收購將支援該公司為其專利PowiGaN™制定的持續發展路線圖。 PowiGaN™應用在該公司的多種產品系列中，包括InnoSwitch™積體電路、HiperPFS™-5功率因數修正控制器積體電路和最近推出的InnoMux™-2獨立穩壓多輸出積體電路。該公司在2023年推出了900-和1250-伏特的PowiGaN技術及產品。

Power Integrations技術副總裁Radu Barsan博士表示：「我們在2018年開始將PowiGaN技術應用於產品中，從那時起，Power Integrations便一直走在氮化鎵開發及商業化的前端。我們依循的發展路線圖目標遠大，計畫促成矽MOSFET（金屬—氧化物—半導體場效電晶體）成本平價，並擴大PowiGaN的電壓及功率能力。我們的目標是將具成本效益的高電流高電壓氮化鎵技術商業化，以支援目前碳化矽 (SiC) 在高功率應用中的表現；且由於氮化鎵和碳化矽的基本材料特性，可大幅減低成本並有更高的性能。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經驗將輔助加速這些努力，我們熱烈歡迎他們加入團隊 。」

Odyssey共同創辦人暨執行長Richard Brown博士也表示：「能夠加入Power Integrations，加速發展他們的氮化鎵技術路線圖，Odyssey團隊和我深感榮幸。Power Integrations身為第一家為高電壓氮化鎵進行商業化的公司，將領導這個產業，針對成本、電壓和電流以及充分利用氮化鎵功能的系統級產品設計繼續發展。」

關於Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高電壓轉換半導體技術的領導創新廠商。該公司的產品在綠色能源生態系統中起著關鍵作用，不僅能夠利用可再生能源發電，還能在從毫瓦到兆瓦等各種應用中實現高效的功率傳輸及消耗。如需進一步資訊，請造訪： www.power.com 。

Power Integrations、PowiGaN、InnoSwitch、HiperPFS、InnoMux和Power Integrations標誌為 Power Integrations, Inc. 的商標或註冊商標。所有其他商標為其個別所有者之財產。

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