パワー・インテグレーションズ、次世代800 VDCAIデータセンター向け1250Vおよび1700VPowiGaN技術の詳細を発表

NVIDIAと800VDC電源アーキテクチャで提携、最新のホワイトペーパーで650VGaNおよび1200VSiCと比較した1250VPowiGaNテクノロジーのメリットを紹介

米カリフォルニア州サンノゼ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- エネルギー効率の高い電力変換を実現する高電圧集積回路で業界をリードするパワー・インテグレーション（ナスダック：POWI）は、次世代AIデータセンター向けのPowiGaN™窒化ガリウム技術のメリットの概要を発表しました。1250 Vおよび1700 V PowiGaN技術の800 VDC電源アーキテクチャへの適用可能性については、サンノゼで開催された2025 OCPグローバルサミットで発表されたパワー・インテグレーションズの新しいホワイトペーパーで詳しく説明されています。このサミットでは、NVIDIAが800 VDCアーキテクチャの最新情報を提供しました。パワー・インテグレーションズはNVIDIAと協力し、800 VDC電源とメガワットスケールのラックへの移行を加速させています。

この最新のホワイトペーパーでは、パワー・インテグレーションズが開発した業界初の1250 V PowiGaN HEMTの性能上のメリットを詳しく紹介し、実証済みの信頼性と800 VDCアーキテクチャの電力密度および効率要件（98%以上）を満たすことを示し、さらに、1250 V PowiGaNスイッチ単体で、スタック型650 V GaNFETや競合する1200 V SiCデバイスと比較して、より高い電力密度と効率を実現できることを紹介しています。

このホワイトペーパーでは、パワー・インテグレーションズのInnoMux™2-EPデバイスに内蔵された1700 V PowiGaNスイッチは1000 VDCの入力電圧をサポートし、SR ZVS動作により、液冷式ファンレス800 VDCアーキテクチャにおいて12 Vシステム効率の90.3%以上を実現します。

パワー・インテグレーションズの製品開発担当副社長であるローランド・サンピエールは、「AI向け電力需要の増大とともに、800 VDC入力への移行はラック設計の簡素化、スペースの有効活用、銅消費量の削減につながります。ラック電力需要が高まる中、1250 Vおよび1700 V PowiGaNデバイスは、主電源および補助電源として最適な選択肢であり、800 VDCデータセンターに必要となる効率、信頼性、電力密度を実現します」と述べています。

量産中の高電圧1250 Vおよび1700 VGaNスイッチの唯一のサプライヤーであるパワー・インテグレーションズは、2018年に初のGaN ICを発表し、現在では急速充電器からデータセンター、EVといった最終製品に1億7500万個を超えるGaNスイッチを供給しています。

パワー・インテグレーションズのAIデータセンター向けPowiGaNテクノロジーについての詳細とホワイトペーパー「1250 V / 1700 V PowiGaN for 800 VDC AI Data Center Architecture（800 VDC AIデータセンターアーキテクチャ向け1250 V/1700 V PowiGaN）」については、power.com/ai-data-centerをご覧ください。NVIDIAの800 VDCに関する技術ブログへはこちらからアクセスしてください。

パワー・インテグレーションズについて

パワー・インテグレーションズは、高電圧電力変換用半導体技術において世界をリードするイノベーター企業で、同社の製品は、クリーン電力エコシステムの重要な構成要素であることに加え、再生可能エネルギーの生成やミリワットからメガワットレベルまでのアプリケーションにおいて効率的な電力伝送と消費を可能にしています。詳細は、www.power.comをご覧ください。

Power Integrations、Power Integrationsのロゴ、PowiGaN、およびInnoMuxは、パワー・インテグレーションズの商標、サービスマーク、または登録商標です。その他のすべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。

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