パワー・インテグレーションズ、次世代高電圧電力システム向けに世界初の2200 V GaN技術を実証

業界初の2200 V PowiGaN™技術により、AIデータセンター、EV、太陽光発電およびHVDCインフラ向けに、電力密度と効率の向上、より安全でシンプルなシステムアーキテクチャを実現

カリフォルニア州サンノゼ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- エネルギー効率の高い電力変換を実現する高電圧集積回路で業界をリードするパワー・インテグレーションズ（NASDAQ：POWI）は、PowiGaN™窒化ガリウム（GaN）技術の定格が最大2200 Vとなり、市販されている他のすべてのGaN技術を電圧性能で大幅に上回ると発表しました。この画期的な成果により、PowiGaNは、高電圧データセンター、EV、再生可能エネルギー、HVDCインフラの各分野で、電力密度のさらなる向上を目指してより高電圧のバスアーキテクチャの採用が進む中、最有力の技術ソリューションとして位置付けられます。

「当社の2200 V PowiGaN技術は、新たな高電圧電力システムに十分な電圧マージンをもたらすとともに、電力密度の最大化に必要な高いスイッチング周波数を実現します」と、パワー・インテグレーションズの社長兼最高経営責任者（CEO）、ジェニファー・ロイドは述べました。「新たな用途としては、業界ロードマップで1500 V配電アーキテクチャの採用が示唆されている次世代AIデータセンターのほか、ますます高い出力電圧（48 V）で動作する将来のEV用バッテリー・システムおよび補助電源システムが挙げられます。この画期的な成果により、GaNは従来、SiCが対応してきた電圧領域にまで適用範囲を広げ、太陽光発電、HVDC、高度な産業用電力変換などの用途において、高周波動作が可能な有力な代替技術となります。」

GaNパワースイッチは、より高い効率とスイッチング周波数を備えていることから、幅広い電力変換用途でシリコントランジスタに着実に取って代わりつつあります。しかし、GaN技術は、さらなる高電圧化と電力密度の向上を求めるデータセンター、EV、再生可能エネルギー、HVDCインフラの各ロードマップに対応していく必要があります。代替策には、より低いスイッチング周波数で動作する炭化ケイ素（SiC）デバイス、または低耐圧GaNデバイスを積層したアレイがあり、後者は電力密度、複雑性、信頼性の面で妥協を要します。

定格電圧1700 VのPowiGaN ICは、単段構成のデータセンター用補助電源への設計採用がすでに進んでいる一方、1250 V PowiGaNは、800 VDCデータセンターの主電力経路において、スタック型ソリューションに代わるよりシンプルな選択肢となります。2200 V PowiGaN技術の導入により、さらに高電圧のバスアーキテクチャに対応できるため、データセンターだけでなく、EV、太陽光発電インバーター、バッテリーエネルギー貯蔵システム向けにも、将来の要件に対応できる電源設計が可能になります。

「AIデータセンターにおける800 VDCバスアーキテクチャへの移行は、パワー半導体の構図を変えつつあります」と、Yole Groupの化合物半導体担当技術・市場アナリスト、ロイ・ダーゲル博士（Roy Dagher）は説明しました。「GaNは耐圧の上限により主電力経路に採用されず、その領域をSiCに譲ってきました。2200 V定格によってこの状況は変わり、単段トポロジーに電圧マージンをもたらすとともに、新たに登場するデータセンターおよびEV向け1500 V設計を将来の要件にも対応可能にします。パワーGaNデバイス市場は2031年までに35億ドルに達すると予測しており、GaNの適用をこうしたより高電圧の用途へ広げることは、その成長を構成する重要な要素です。」（1）

関連資料

詳細については、当社のホワイトペーパーをお読みいただくか、PowiGaNのページをご覧ください。

パワー・インテグレーションズについて

パワー・インテグレーションズ（Power Integrations, Inc.）は、高電圧電力変換用半導体技術において業界をリードする革新的企業です。パワー・インテグレーションズの製品は、クリーン電力エコシステムにおいて重要な構成要素となっており、再生可能エネルギーの生成を可能にするとともに、AIデータセンター、EV、高電圧直流（HVDC）インフラなどの、ミリワットからメガワットに及ぶアプリケーションにおいて、電力の効率的な伝送、変換、消費を実現します。詳細については、www.power.comをご覧ください。

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本プレスリリースに含まれる過去の事実に関するものではない一定の記述は、連邦証券法（1995年米国民事証券訴訟改革法に基づくセーフハーバー条項を含む）にいう将来の見通しに関する記述です。将来の見通しに関する記述は、一般に、将来の事象または当社の将来の財務もしくは経営成績に関するものです。このような記述には、当社の予想、戦略、優先事項、計画もしくは意図に関する記述、将来の事象や動向を予測もしくは示す記述、または過去の事項に関する記述ではないものには、「考える」「継続する」「見込む」「期待する」「予想する」「見積もる」「意図する」「戦略」「将来」「機会」「予測する」「計画する」「可能性がある」「すべきである」「する予定である」「するであろう」「潜在的」「思われる」「目指す」「見通し」などの語句や同様の表現が用いられることがあります。将来の見通しに関する記述は、現在の予想および仮定に基づく、将来の事象に関する予想、予測その他の記述であり、そのため、リスクおよび不確実性を伴います。本プレスリリースに含まれる将来の見通しに関する記述には、2200 V GaN技術の導入、AIデータセンターやEVなどの新興市場における2200 V GaN技術の用途、より高い電圧に対応するGaN技術の利点などに関する記述が含まれますが、これらに限定されません。これらの記述は、本プレスリリースに明示されているか否かを問わず、さまざまな仮定に基づいています。これらの将来の見通しに関する記述は、例示のみを目的として提供されるものであり、保証、確約、予測、または事実もしくは可能性に関する確定的な記述として用いられることを意図したものではなく、投資家はこれらにそのようなものとして依拠してはなりません。実際の事象や状況を予測することは極めて困難または不可能であり、これらは仮定とは異なります。実際の事象や状況の多くは、当社の管理の及ばないものです。これらの事項に関する当社の予想や見解が現実のものとならない可能性があり、将来の期間における実際の結果は、以下を含むがこれらに限定されないリスクおよび不確実性により、本プレスリリースに含まれる将来の見通しに関する記述と大きく異なる可能性があります。（i）当社の認識しないところで、競合他社が2200 V GaN技術をすでに実証している、または想定より早く実証するリスク、（ii）2200 V PowiGaN技術が、AIデータセンター、EV、太陽光発電インフラ、HVDCインフラ向けに、より高い電力密度、より高い効率、よりシンプルなシステムアーキテクチャを、想定した程度まで、または想定した期間内に実現できない、あるいは全く実現できないリスク、（iii）PowiGaN技術が、市販されている他のすべてのGaN技術を想定した期間において電圧性能で上回らない、または全く上回らないリスク、（iv）PowiGaNが、想定した程度まで最有力の技術ソリューションとならない、または全くならないリスク、（v）高電圧データセンター、EV、再生可能エネルギー、HVDCインフラにおいて、より高い電圧のバスアーキテクチャが、想定した程度まで、または想定した期間内に活用されない、あるいは全く活用されないリスク、（vi）業界ロードマップが示唆する1500 V配電アーキテクチャおよび将来のEVバッテリー・システムと補助電源システムが、想定した期間内に、または想定した程度まで実現しない、あるいは全く実現しないリスク、（vii）GaNパワースイッチが、想定した程度まで、または想定した期間内にシリコントランジスタに取って代わらない、あるいは全く取って代わらないリスク、（viii）炭化ケイ素（SiC）や低耐圧GaNデバイスなど、このGaN技術に代わる選択肢が、データセンター、EV、再生可能エネルギー、HVDCインフラにおける一部またはすべての用途で、想定を上回る程度まで十分に対応できる、または想定より長期間にわたり十分に対応できるリスク、（ix）2200 V PowiGaN技術を導入しても、データセンター、EV、太陽光発電インバーター、バッテリー・エネルギー貯蔵システム向けのさらに高い電圧のバス・アーキテクチャーに、想定した程度まで、または想定した期間内に対応できない、あるいは全く対応できないリスク、（x）AIデータセンターにおける800 VDCバスアーキテクチャへの移行が、想定した程度まで、または想定した期間内に進まない、あるいは全く進まないリスク、（xi）2200 Vの定格によって、単段トポロジー向けの電圧マージンを確保すること、または登場しつつあるデータセンターとEV向けの1500 V設計を将来の要件にも対応可能にすることが、想定した程度まで、または想定した期間内に実現しない、あるいは全く実現しないリスク、（xii）パワーGaNデバイス市場が2031年までに35億ドルに達しない、または全く達しないリスク、（xiii）当社の業績予測能力、（xiv）当社の集積回路を組み込んだ最終製品の需要減少、顧客が自社製品に対する関税引き上げの影響を相殺しようとすることによる当社製品の価格への圧力、またはその両方をもたらす可能性のある通商政策の変更、特に、関税措置の強化ならびに新規またはより高率の関税の賦課、（xv）当社の製品供給能力と、新規設計採用の獲得をめぐる競争など、その他の事業活動を遂行する能力、（xvi）インフレ、武力紛争、通商交渉など、当社製品の需要水準に影響を及ぼす可能性のある要因を含む世界的な経済・地政学情勢の変化、（xvii）当社の集積回路を使用する最終製品に対する顧客需要が変化し、当社製品を組み込まない最終製品へ移行する可能性、（xviii）競争の影響により、当社の売上高が減少する、または当社が製品の販売価格を引き下げる可能性、（xix）予期せぬコストおよび費用、ならびに商品価格もしくは為替レート、またはその両方の変動に起因する部品コストもしくは営業費用の不利な変動、（xx）製品開発の遅延、製品の欠陥、新製品の市場受容性。これらのリスクと不確実性は、現在または将来の世界的な紛争、現行の貿易制限、今後導入される可能性のある貿易制限、貿易摩擦、関税によって一層高まる可能性があり、これらはいずれも引き続き経済的不確実性をもたらしています。上記の要因に加え、当社が米国証券取引委員会（SEC）に提出したForm 10-Kによる最新の年次報告書とその後のForm 10-Qによる四半期報告書の「リスク要因」の項、ならびに当社がSECに提出したその他の文書、または今後随時提出するその他の文書に記載されたリスクおよび不確実性についても、慎重に検討する必要があります。これらの提出書類では、実際の事象や結果が将来の見通しに関する記述に含まれる内容と大きく異なる原因となり得るその他の重要なリスクおよび不確実性を特定し、説明しています。本プレスリリースに含まれる将来の見通しに関する記述は、当社が現時点で入手可能な情報のみに基づくものであり、記述がなされた時点現在のものです。

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Power Integrations、Power IntegrationsロゴおよびPowiGaNは、Power Integrations, Inc.の商標、サービスマークまたは登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。

（1）出典：「Power GaN 2026」レポート、Yole Group

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