-
キオクシア株式会社:北上工場 新製造棟(K2棟)の建設を開始
キオクシア株式会社:北上工場 新製造棟(K2棟)の建設を開始
Share
岩手県北上市--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- (ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、本日、北上工場(岩手県北上市)第2製造棟(K2棟)の起工式を行いました。3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の生産能力の増強に備え、K2棟の竣工は2023年を予定しています。また、北上工場での生産拡大に応じた人員増加に対応するため管理部門・技術部門が入居する管理棟も建設します。
K2棟は免震構造を採用するとともに、再生可能エネルギーの利用など環境面も重視します。また、人工知能(AI)を活用した生産システムの導入などを推進し、北上工場全体の生産性ならびにフラッシュメモリ製品の品質をさらに向上させます。
当社は、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、当社が1987年にNAND型フラッシュメモリを発明してから、35年にわたり積み重ねてきたメモリ・SSD事業の競争力をさらに強化する取り組みを積極的に展開してまいります。今後も将来の市場動向を踏まえ需要拡大を的確に捉え、タイムリーな設備投資を行い、着実かつ持続可能な成長を目指します。
北上工場 新製造棟(K2棟)の建設開始について(2022年 3月23日)
https://about.kioxia.com/ja-jp/news/2022/20220323-1.html
Contacts
本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシアホールディングス株式会社
コーポレートコミュニケーション部
山路 航太
Tel: 03-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com
More News From Kioxia Corporation
キオクシア:次世代モバイル機器向けUFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷について
東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、JEDECで規格策定中の次世代UFS規格UFS 5.0に対応する 組み込み式フラッシュメモリ(UFS 5.0製品)の評価用サンプル[注1] の出荷を本日から開始します。[注2] UFS 5.0は オンデバイスAI機能を持つハイエンド・スマートフォンなど次世代モバイル機器で要求される性能を満たすためJEDECで策定中の新規組み込み式フラッシュストレージの標準規格で、物理層にMIPI M-PHY version 6.0、プロトコルに UniPro version 3.0を採用しています。M-PHY version 6.0 では新たにHS-GEAR6モードが導入され、理論上最大1 laneあたり 46.6 Gbpsのインターフェーススピードをサポート、2 laneのUFS 5.0では約10.8 GB/sの実効読み書き性能が実現可能です。 評価用サンプルは 当社がUFS 5.0向けに 新規開発した コントローラーと第8世代 BiCS FLASH™を搭載し、512 GB、1 TBの容量をラインアップします...
キオクシア:8K動画や高速連写に適したUHS-II対応SDメモリカードを発売
東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、8K動画や高速連写撮影に適したUHS-II対応の「EXCERIA PRO G2 SDメモリカードシリーズ」を新たに立ち上げ、2026年2月21日より量販店での販売を開始します。本シリーズでは、ビデオスピードクラス[注1]において、V90とV60モデルの2つのモデルを展開しています。V90モデルは、8K動画でのパフォーマンスを求めるプロフェッショナル向けのモデルで、V60モデルはUHS-IIのパフォーマンスを求める方に向けて、性能とコストのバランスの取れたモデルとなっています。 EXCERIA PRO G2 SDXC UHS-II メモリカード V90モデルは、8K動画や高速連写撮影に適しており、プロカメラマンや映像クリエイター、放送制作チームなど、作品のクオリティに妥協できないプロフェッショナルに適したSDメモリカードです。容量ラインアップは64GBから512GBまで取りそろえ、最大読出速度は310MB/s、最大書込速度は300MB/s[注2]を実現し、高解像度8K動画撮影にも対応できます。また...
キオクシア:QLC技術を採用した UFS 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷について
東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、QLC (Quadruple-level cell、4ビット/セル)技術を採用した新しいUFS[注1] 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始しました。新製品は、キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを搭載し、リードインテンシブのアプリケーションおよび大容量ストレージ向けに設計され、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器だけでなく、PC、ネットワーク機器、AR/VR、IoT、AI対応デバイスなどに適しています。 QLC UFSは、従来のTLC UFSよりもビット密度が高く、モバイル・アプリケーションの大容量化に貢献します。コントローラー技術とエラー訂正能力の向上により、QLCを用いた性能と容量の高いバランスを実現し、大幅な性能向上を達成しています[注2]。新しいQLC UFS製品は、当社前世代品[注3]と比較して、シーケンシャルライト性能約25%、ランダムリード性能約90%、ランダムライト性能約95%向上しています[注4]。また、書き込み増幅率...

