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Kioxia Corporation avvia la costruzione di un nuovo stabilimento di produzione presso l’impianto di Kitakami

original Artist's impression of Fab2, Kitakami Plant (Graphic: Business Wire)

Artist's impression of Fab2, Kitakami Plant (Graphic: Business Wire)

KITAKAMI, Giappone--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha tenuto oggi un’originale cerimonia di inaugurazione dei lavori per l’innovativo stabilimento di produzione di semiconduttori (Fab2) presso l’impianto di Kitakami, nella prefettura di Iwate, in Giappone. Utilizzando una tecnica di produzione avanzata basata sull’intelligenza artificiale (Artificial Intelligence, AI), il nuovo stabilimento contribuirà alla possibile espansione della produzione della memoria flash 3D brevettata BiCS FLASHTM presso l’impianto di Kitakami. Il completamento dell’impianto Fab2 è previsto nel 2023.

L’impianto Fab2 sarà caratterizzato da una struttura antisismica e un design ecosostenibile che utilizza avanzate attrezzature di produzione a risparmio energetico e fonti di energia rinnovabile.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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