-

鎧俠株式會社開始在北上工廠興建新製造設施

日本北上--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--記憶體解決方案的全球領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天在位於日本岩手縣的北上(Kitakami)工廠為其最先進的半導體製造設施(Fab2)舉行了動工儀式。新設施利用以人工智慧為基礎的尖端製造技術,將有助於擴大北上工廠專有的3D快閃記憶體BiCS FLASHTM的產能。Fab2設施的興建計畫於2023年完成。

Fab2設施將採用抗震結構和環保型設計,使用先進的節能製造設備和可再生能源。此外,鎧俠還將興建一座行政大樓,以容納控制管理和技術部門,以因應人員的增加。

鎧俠總裁兼執行長Nobuo Hayasaka表示:「作為記憶體的領導者,Fab2工廠將成為鎧俠的關鍵製造中心,大規模生產我們的記憶體產品。我們正計畫引進設施內自動傳遞裝置和先進的生產控制,使Fab2成為真正的世界級智慧製造工廠。Fab2將能夠與北上工廠的Fab1以及我們在四日市的工廠進行智慧協調和最佳化生產,使公司能夠及時抓住不斷成長的記憶體市場商機。」

鎧俠秉承「用記憶體提升世界」的使命,專注於制定措施,加強其記憶體和固態硬碟業務的競爭力。自1987年發明NAND快閃記憶體以來,該業務已發展了35年。鎧俠仍然致力於透過及時的資本投資來實現穩定和永續的成長,以滿足不斷成長的市場需求。

相關新聞:鎧俠將在北上工廠興建新設施,擴大3D快閃記憶體產能
https://about.kioxia.com/en-jp/news/2022/20220323-1.html 

關於鎧俠

鎧俠是全球記憶體解決方案領導者,致力於開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟(SSD)。東芝公司於1987年發明了NAND快閃記憶體,2017年4月,鎧俠前身東芝記憶體集團從東芝公司分割出來。鎧俠致力於透過提供產品、服務和系統,為客戶提供選擇,為社會創造記憶體價值,從而用「記憶體」提升世界。鎧俠創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造諸多高容量應用的未來儲存方式,其中包括高階智慧手機、PC、SSD、汽車和資料中心等。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kota Yamaji
公共關係部
鎧俠控股株式會社
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
公共關係部
鎧俠控股株式會社
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固態硬碟與Microchip的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID儲存加速器達成相容

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5吋KIOXIA CM7系列企業級PCIe®5.0 NVMe™ 2.0、KIOXIA CD8P系列資料中心級PCIe 5.0 NVMe 2.0及KIOXIA CD8系列資料中心級PCIe 4.0 NVMe 1.4固態硬碟,已成功完成與Microchip Technology Inc. Adaptec®SmartRAID 4300系列RAID儲存加速卡的相容性及互通性測試。 Adaptec SmartRAID 4300加速器支援多達32個NVMe固態硬碟,每個硬碟皆透過其專用通道直接連接至CPU。此設計消除了傳統單一x16主機介面通常會遇到的PCIe效能瓶頸,使得每個固態硬碟均能發揮巔峰效能。這項創新架構提供了卓越的傳輸吞吐量與IOPS,使其成為資料密集型企業應用的理想解決方案。次世代資料中心基礎架構的成功,仰賴於生態系統的合作與互通性,以確保當前及未來技術能實現無縫整合。 Microchip名稱與Adaptec為Microchip Technology Inc.於美國及其...

KIOXIA AiSAQ™技術已整合至Milvus向量資料庫

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近鄰搜尋(ANNS)軟體技術KIOXIA AiSAQ™已從Milvus 2.6.4版本起正式整合到這款開放原始碼向量資料庫中。透過此次整合,Milvus使用者可充分利用KIOXIA AiSAQ™經SSD最佳化的向量搜尋能力,為開發者和企業提供一條實用且具有成本效益的AI應用程式擴充路徑,無需面對大規模向量搜尋通常伴隨的DRAM記憶體擴容難題。 AI產業正從建構大規模基礎模型,轉向部署可擴充、具有成本效益的推理解決方案以因應真實世界挑戰。檢索增強生成(RAG)是這一轉型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技術的研發初衷,就是協助社群利用以SSD為基礎的向量架構。其融入Milvus生態系統後,不僅降低了開放原始碼社群的採用門檻,還能支援開發者打造更快、更高效的AI應用程式。 KIOXIA AiSAQ™於今年稍早首次發表,是一款開放原始碼軟體技術,透過將所有與RAG相關的資料庫元素儲存在SSD上,大幅提升向量可擴充性*1。隨著DRAM可擴充性成為海量推理和RAG工作負載的關鍵...

Kioxia研發核心技術,推動高密度低功耗3D DRAM的實際應用

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布,已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術,該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相,可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代,市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限,業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術,以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料,這種方式會推高製造成本,同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術,該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中,我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術,並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...
Back to Newsroom