Gigaphoton啟動L300KZ準分子雷射器評估，用於先進材料領域的脈波雷射沉積

在日本「登月型」研發計畫下，雷射評估將加快建立高溫超導帶材量產技術——這是支撐核融合能源實現的關鍵技術

日本小山--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 為尖端半導體製造製程提供光源的製造商Gigaphoton Inc.（總部：栃木縣小山市；總裁兼執行長：Tatsuo Enami）今日宣布，已於2026年9月25日將用於脈波雷射沉積(PLD)的L300KZ KrF準分子雷射器安裝至日本國內一家高溫超導帶材製造商。該雷射器是在日本內閣府主管的「登月型」研發計畫目標10下開發，目前已針對高溫超導帶材的批量生產啟動評估。

Gigaphoton是「登月型」計畫目標10研發專案「實現多種創新核融合反應器概念的基礎超導技術」（資助編號：JPMJMS24A2）的參與機構之一。該專案旨在建立高效能稀土鋇銅氧(*REBCO)帶材的高品質、低成本量產技術，這種線材是核融合反應器用超導磁體的重要構成材料。在該專案中，Gigaphoton負責開發用於PLD製程的準分子雷射器。為本次評估安裝的L300KZ是一款用於高溫超導材料PLD薄膜沉積的高脈波能量雷射器，其開發應用了Gigaphoton在半導體微影用準分子雷射器領域累積的技術。

在PLD製程所使用的光源中，準分子雷射器具有高脈波能量，被廣泛用於形成高品質薄膜。公司正在應用其憑藉在半導體微影準分子雷射器領域的豐富經驗發展出的技術，包括支援穩定運行和高可用性的相關技術。Gigaphoton期望為未來PLD製程的產出率和裝置可用性的提升貢獻力量。

藉由本次安裝作業，專案將進入實際PLD薄膜沉積製程環境下的評估階段。Gigaphoton將與專案相關機構合作，驗證雷射器運行條件與沉積製程之間的關係，這將有助於提升高溫超導帶材的品質並推動建立大批量生產技術。

Gigaphoton總裁兼執行長Tatsuo Enami表示：「在實際薄膜沉積製程環境中安裝用於PLD的準分子雷射器並啟動評估階段，對Gigaphoton而言是重要進展。除高溫超導帶材外，我們也在展望PLD技術所涉及的更廣泛先進材料領域的應用，包括功能薄膜、先進電子材料和光學材料。透過與相關機構的持續合作，Gigaphoton將為建立高溫超導帶材量產技術貢獻力量，同時努力在先進材料產業中創造新價值。」

關於GIGAPHOTON

Gigaphoton成立於2000年，是提供半導體微影用KrF和ArF準分子雷射光源的領導廠商。Gigaphoton透過先進的雷射技術，協助全球半導體製造商實現更高的產出率、更卓越的品質和更永續的製造。其全球服務網路提供客戶至上的支援，致力於為全球半導體製造商充分提高裝置可用性並保障穩定的生產運行。

憑藉在雷射與微影技術方面的專長，Gigaphoton正將其能力從半導體微影擴大至新的領域，包括EUV光源，以及用於先進封裝和先進材料加工應用的準分子雷射器。

如欲瞭解更多資訊，請造訪https://www.gigaphoton.com。

*REBCO：稀土鋇銅氧，一種高溫超導材料。它在達到或低於液氮溫度(-196°C)時會進入零電阻的超導狀態。

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