Toshiba推出具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩展了其产品阵容，推出适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等工业设备的双SiC MOSFET模块——“IX800FXF2YMS4”。该新型模块采用Toshiba第三代碳化硅(SiC) MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，直流(DC)漏极电流额定值为800A。其规格中明确了二极管部分的I²t限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。

包括铁路牵引逆变器和变流器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备在内的工业设备制造商，必须不断满足对更高效率、更小体积和更高可靠性的日益增长的需求。在这些系统中，必须通过足够的浪涌电流承受能力来应对异常条件下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流。

IX800FXF2YMS4采用了优化的SiC芯片设计，其I²t特性达到300kA²s^[1]，该特性是衡量二极管部分在异常条件下浪涌电流能力的指标。

该模块的漏源导通电压（检测端）(V_DS(on)sense)为1.4V（典型值）^[2]，有助于降低导通损耗。其开通开关损耗(E_on)为185mJ（典型值）^[3]，关断开关损耗(E_off)为175mJ（典型值）^[3]，有助于降低开关损耗。这些特性有助于提高设备的可靠性和效率，并缩小冷却系统的体积。

新产品采用了具备出色安装兼容性的iXPLV™封装^[4]。它使用银烧结键合技术，提高了与SiC芯片键合部分的耐热性和可靠性，实现了工业设备所需的175°C沟道温度额定值。

这一Toshiba产品阵容的新成员使iXPLV™封装的SiC MOSFET模块数量达到四款，从而拓宽了可用产品的选择范围。

Toshiba将继续扩展其面向工业设备的SiC MOSFET模块产品线，并提供更广泛的产品选择，以满足多样化的设备规格和应用需求。公司还将致力于打造更可靠、更高效、更紧凑的工业设备。

注：
[1] 测试条件 T_ch(initial)=175°C，V_GS=-6V，半正弦波10ms 1脉冲，F.R.=1%
[2] 测试条件：I_D=800A, V_GS=+20V, T_ch=25°C
[3] 测试条件：V_DD=1800V, I_D=800A, V_GS=+20V/-6V, C_gs=100nF, R_G(on)=1.2Ω, R_G(off)=1.2Ω, T_ch=175°C, L_S≃70nH
[4] iXPLV^TM：intelligent fleXible Package Low Voltage（智能柔性低压封装）的缩写

应用场景

工业设备

• 铁路牵引逆变器和变流器
• 可再生能源发电系统
• 电力转换系统（固态变压器(SST)^[5]；不间断电源(UPS)；储能系统(ESS)等）
• 工业电机控制设备等

注：
[5] SST：一种利用功率半导体实现紧凑尺寸、高效电压转换和先进电力控制的下一代变压器。

产品特性

• 明确I2t限值（二极管）额定值：I²t=300kA²s
• 低漏源导通电压（检测端）：V_DS(on)sense=1.4V（典型值）
• 低开关损耗：E_on=185mJ（典型值），E_off=175mJ（典型值）
• 沟道温度额定值：T_ch=175°C
• 采用iXPLV^TM封装。

主要规格

（除非另有说明，否则Tc=25°C）
部件编号				IX800FXF2YMS4
封装		名称		iXPLV™
		尺寸(mm)	典型值	144×99.5×40
绝对 最大 额定值	漏源电压VDSS (V)			3300
	栅源电压VGSS (V)			+25/-10
	漏极电流（直流）ID (A)			800
	漏极电流（脉冲）IDP (A)			1600
	沟道温度Tch (°C)			175
	隔离电压V isol (Vrms)	AC, 60s		6000
	I2t限值（二极管）I^2t (kA^2s)	Tch(initial)=175°C, VGS=-6V, 半正弦波10ms 1脉冲， F.R.=1%		300
电气 特性	漏源导通电压（检测端） VDS(on)sense (V)	ID=800A, VGS=+20V, Tch=25°C	典型值	1.4
	源漏导通电压（检测端） VSD(on)sense (V)	IS=800A, VGS=+20V, Tch=25°C	典型值	1.4
	源漏关断电压（检测端） VSD(off)sense (V)	IS=800A, VGS=-6V, Tch=25°C	典型值	2.2
	杂散电感LsPN (nH)	P端子-N端子	典型值	12
	开通开关损耗 Eon (mJ)	VDD=1800V, ID=800A, VGS=+20V/-6V, Cgs=100nF, RG(on)=1.2Ω, RG(off)=1.2Ω, Tch=175°C, LS≃70nH	典型值	185
	关断开关损耗 Eoff (mJ)		典型值	175

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IX800FXF2YMS4

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SiC功率器件

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球的17,400名员工致力于最大限度提高产品价值，并促进与客户的密切合作，共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

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