Toshiba推出具備高突波電流能力的3300V SiC MOSFET模組，協助提升工業設備可靠性

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)擴充了其產品陣容，推出適用於鐵路車輛、再生能源發電系統以及電力轉換系統等工業設備的雙SiC MOSFET模組——「IX800FXF2YMS4」。該新型模組採用Toshiba第三代碳化矽(SiC) MOSFET晶片，汲源電壓額定值為3300V，直流(DC)汲極電流額定值為800A。其規格中明確了二極體部分的I²t限值，該值是衡量突波電流能力的指標。

包括鐵路牽引逆變器和變流器、再生能源發電系統以及工業馬達控制設備在內的工業設備製造商，必須不斷滿足對更高效率、更小體積和更高可靠性的與日俱增的需求。在這些系統中，必須透過足夠的突波電流承受能力來因應異常條件下可能流經功率半導體模組的大突波電流。

IX800FXF2YMS4採用了最佳化的SiC晶片設計，其I²t特性達到300kA²s^[1]，該特性是衡量二極體部分在異常條件下突波電流能力的指標。

該模組的汲源導通電壓（偵測端）(V_DS(on)sense)為1.4V（典型值）^[2]，有助於降低導通損耗。其開通開關損耗(E_on)為185mJ（典型值）^[3]，關斷開關損耗(E_off)為175mJ（典型值）^[3]，有助於降低開關損耗。這些特性有助於提高設備的可靠性和效率，並縮小冷卻系統的體積。

新產品採用了具備出色安裝相容性的iXPLV™封裝^[4]。它使用銀燒結貼合技術，提高了與SiC晶片貼合部分的耐熱性和可靠性，實現了工業設備所需的175°C溝道溫度額定值。

這一Toshiba產品陣容的新成員使iXPLV™封裝的SiC MOSFET模組數量達到四款，從而擴大了可用產品的選擇範圍。

Toshiba將繼續擴充其針對工業設備的SiC MOSFET模組產品線，並提供更廣泛的產品選擇，以滿足多樣化的設備規格和應用需求。公司還將致力於打造更可靠、更高效、更精簡的工業設備。

註：
[1] 測試條件 T_ch(initial)=175°C，V_GS=-6V，半正弦波10ms 1脈波，F.R.=1%
[2] 測試條件：I_D=800A, V_GS=+20V, T_ch=25°C
[3] 測試條件：V_DD=1800V, I_D=800A, V_GS=+20V/-6V, C_gs=100nF, R_G(on)=1.2Ω, R_G(off)=1.2Ω, T_ch=175°C, L_S≃70nH
[4] iXPLV^TM：intelligent fleXible Package Low Voltage（智能柔性低壓封裝）的縮寫

應用場景

工業設備

• 鐵路牽引逆變器和變流器
• 再生能源發電系統
• 電力轉換系統（固態變壓器(SST)^[5]；不斷電系統(UPS)；儲能系統(ESS)等）
• 工業馬達控制設備等

註：
[5] SST：一種利用功率半導體實現精簡尺寸、高效電壓轉換和先進電力控制的下一代變壓器。

產品特性

• 明確I2t限值（二極體）額定值：I²t=300kA²s
• 低汲源導通電壓（偵測端）：V_DS(on)sense=1.4V（典型值）
• 低開關損耗：E_on=185mJ（典型值），E_off=175mJ（典型值）
• 溝道溫度額定值：T_ch=175°C
• 採用iXPLV^TM封裝。

主要規格

（除非另有說明，否則Tc=25°C）
零件編號				IX800FXF2YMS4
封裝		名稱		iXPLV™
		尺寸(mm)	典型值	144×99.5×40
絕對 最大 額定值	汲源電壓VDSS (V)			3300
	閘源電壓VGSS (V)			+25/-10
	汲極電流（直流）ID (A)			800
	汲極電流（脈波）IDP (A)			1600
	溝道溫度Tch (°C)			175
	隔離電壓V isol (Vrms)	AC, 60s		6000
	I2t限值（二極體）I^2t (kA^2s)	Tch(initial)=175°C, VGS=-6V, 半正弦波10ms 1脈波， F.R.=1%		300
電氣 特性	汲源導通電壓（偵測端） VDS(on)sense (V)	ID=800A, VGS=+20V, Tch=25°C	典型值	1.4
	源汲導通電壓（偵測端） VSD(on)sense (V)	IS=800A, VGS=+20V, Tch=25°C	典型值	1.4
	源汲關斷電壓（偵測端） VSD(off)sense (V)	IS=800A, VGS=-6V, Tch=25°C	典型值	2.2
	雜散電感LsPN (nH)	P端子-N端子	典型值	12
	開通開關損耗 Eon (mJ)	VDD=1800V, ID=800A, VGS=+20V/-6V, Cgs=100nF, RG(on)=1.2Ω, RG(off)=1.2Ω, Tch=175°C, LS≃70nH	典型值	185
	關斷開關損耗 Eoff (mJ)		典型值	175

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IX800FXF2YMS4

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SiC功率元件

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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的17,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

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