-

Kioxia 与 Sandisk 在北上工厂 Fab2 启动第十代 3D 闪存产品生产

两家公司展示 K2 制造设施建设持续推进,以满足不断增长的 NAND 闪存市场需求

日本东京/美国加利福尼亚州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation(东京证券交易所代码:285A)旗下子公司 Kioxia Corporation 与 Sandisk Corporation(纳斯达克股票代码:SNDK)今日宣布,双方已在位于日本岩手县的北上工厂 Fab2(K2)启动第十代 3D 闪存技术的生产。值此重要里程碑之际,两家公司正持续推动未来多年的有效位增长,以满足市场对其创新闪存技术的强劲需求。

伴随第十代产品正式投产,两家公司同期举行了 K2 厂房启用仪式。该厂房于 2025 年 9 月投入运营,目前已承担双方第八代 3D 闪存产品的生产,并将随着第十代产品的导入进一步提升产能。第八代和第十代 3D 闪存均采用创新的 CBA(CMOS directly Bonded to Array,CMOS 直接键合至存储阵列)技术,在高性能、大容量和低功耗方面实现了卓越表现。

Fab2 厂房采用抗震建筑结构,并引入业界先进的节能型制造设备。该厂房运用人工智能技术进一步提升生产效率,同时采用高效利用空间的厂房设计,扩大洁净室内制造设备的安装空间。

Kioxia 与 Sandisk 近日宣布,双方已将合资合作框架协议延长至 2034 年 12 月。多年来,Sandisk 与铠侠始终携手推动 NAND 闪存技术创新。随着双方持续加大对 K2 厂房的投资,合资企业将进一步夯实长期发展基础,持续以规模化、稳定的方式提供业界领先的闪存技术创新成果,并支持实现双方此前公布的位增长目标。

负责运营北上工厂的 Kioxia Iwate Corporation 总裁兼首席执行官 Koichiro Shibayama 表示:“我们非常高兴在北上启动先进第十代闪存产品的生产。Fab2 生产的第八代及后续世代闪存产品,将为快速增长的 AI 市场创造新的价值。依托双方合作所形成的协同效应和规模优势,铠侠将持续生产业界领先的闪存产品,实现可持续增长。未来,铠侠将继续为推动半导体产业发展以及促进地方和日本国内经济发展贡献力量。”

Sandisk Corporation 首席技术官 Alper Ilkbahar 表示:“数十年来,Sandisk 与铠侠持续推动 NAND 闪存技术创新。随着市场对高性能闪存技术的需求不断增长,我们在北上工厂启动第十代 3D 闪存产品生产,标志着双方合作迈出了又一个重要里程碑。依托 K2 厂房,我们将继续为客户提供全球领先的 NAND 闪存技术,同时为运营所在地创造新的经济发展机遇,并展现美日两国强劲经贸合作关系所取得的成果。”

25 年多来,Kioxia 与 Sandisk 建立了长期稳固且卓有成效的合资合作伙伴关系。未来,双方将继续通过联合开发 3D 闪存技术和持续开展资本投资,进一步发挥协同优势,提升市场竞争力。

关于Sandisk

Sandisk(纳斯达克股票代码:SNDK)提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术,在人们和企业实现愿景与把握机遇的关键交汇点赋能前行,助力其不断突破创新、拓展无限可能。欢迎关注 Sandisk 官方 InstagramFacebookXLinkedIn YouTube 账号,也欢迎关注 TeamSandisk 的 Instagram 账号。

© 2026 Sandisk Corporation 或其关联公司。保留所有权利。Sandisk 和 Sandisk 徽标是 Sandisk Corporation 或其关联公司在美国和/或其他国家/地区的注册商标或商标。所有其他商标均归其各自所有者所有。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

前瞻性声明

Sandisk

本新闻稿包含美国联邦证券法律所定义的前瞻性声明,包括有关以下事项的预期:Sandisk Corporation 与 Kioxia Holdings Corporation 的产品路线图、产能扩展计划,以及持续实现多年位增长的能力;市场对高性能闪存技术的需求;双方 3D 闪存技术的性能、容量及性能表现;Fab2 厂房的生产能力和运营效率;Sandisk 持续投资于其与 Kioxia 长期合资企业的战略;以及该合资企业实现长期成功、运营协同、资本效率、市场竞争力,并以规模化方式提供业界领先 3D 闪存创新成果的能力。上述前瞻性声明基于当前预期,并受到各种风险和不确定因素的影响,实际结果可能与前瞻性声明中明示或暗示的内容存在重大差异。可能导致实际结果与前瞻性声明中明示或暗示内容存在重大差异的主要风险和不确定因素包括:全球或区域经济环境发生不利变化,包括不断变化的贸易政策、关税制度及贸易战带来的影响;Sandisk 产品需求波动;产品定价趋势及平均销售价格波动;长期协议带来的执行、财务及市场风险;通货膨胀;利率变化及潜在经济衰退;商业和市场环境的影响;竞争产品及价格竞争带来的影响;基于新技术产品的开发和推出,以及技术迭代管理;与战略举措相关的风险,包括重组、收购、资产剥离、成本节约措施及合资企业;产品缺陷相关风险;制造困难或延迟,以及供应链中断等风险;对包括 Kioxia Corporation 在内的重要合作伙伴战略合作关系的依赖;管理人才及技术人才的吸引、留任和培养;在业务运营中使用人工智能相关的风险;与重要客户关系变化或客户群整合相关的风险;网络安全事件或其他数据系统安全风险导致的数据泄露、数据损坏或业务中断;对知识产权的依赖;汇率波动;竞争对手采取的行动;遵守不断变化的法律法规要求所带来的风险;以及 Sandisk 向美国证券交易委员会(SEC)提交的文件中列示的其他风险和不确定因素,包括其于 2025 年 8 月 21 日向 SEC 提交的 Form 10-K 年度报告,以及于 2026 年 5 月 1 日提交的 Form 10-Q 季度报告,敬请投资者查阅。投资者不应过度依赖上述前瞻性声明。上述声明仅反映截至本新闻稿发布之日的情况。除法律另有规定外,Sandisk 不承担因新信息、未来事件或其他情况而更新或修订任何前瞻性声明的义务。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Sandisk

媒体垂询
mediainquiries@sandisk.com

投资者关系
investors@sandisk.com

Kioxia

媒体垂询
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA GP系列超高IOPS SSD荣获2026年FMS:未来内存与存储展“最佳展品”大奖

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其KIOXIA GP系列PCIe® NVMe™ SSD已荣获FMS:未来内存与存储展“专业存储”类别的“最佳展品”大奖。“最佳展品”奖旨在表彰卓越的产品与解决方案,嘉奖那些正在塑造内存与存储行业未来的企业与技术。 KIOXIA GP1 PCIe 6.0 SSD是GP系列的一员,专为AI基础设施打造,也是业界首款*1专为GPU直接访问优化的超高IOPS PCIe® SSD。它搭载了KIOXIA XL-FLASH™第二代低延迟闪存,在512字节数据访问下可提供高达1000万随机读取IOPS*2,让闪存能够作为高性能内存扩展层,帮助提升AI工作负载的GPU利用率。 未来内存与存储展大会总监George Mullins表示:“随着AI基础设施不断演进,存储正成为下一代系统架构的关键推动因素。KIOXIA GP系列体现了KIOXIA在闪存和AI存储技术上的持续创新。通过以前瞻性的存储架构满足新兴的AI基础设施需求,KIOXIA GP系列荣获今年FMS‘专业存储’类别的‘最佳展品’奖可谓实...

Kioxia与Sandisk推出全新3D闪存技术,实现业界最高的QLC NAND比特密度

加州圣克拉拉--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 未来内存与存储大会(FMS)——Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK)今日联合发布其新一代四层单元(QLC) 3D闪存技术。与第八代产品相比,该技术的比特密度提升高达60%,突破37 Gb/mm²,树立了比特密度、性能和能效的行业标杆1。 新一代技术利用两家公司革命性的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术2,将CMOS逻辑电路和存储阵列分别在不同的晶圆上制造,然后通过高精度的晶圆对晶圆对准将它们键合在一起,与第八代3D闪存相比,提高了读写带宽,并成为业界首款达到4.8 Gb/s3接口的QLC 3D闪存技术。 此外,额外的接口改进提升了I/O数据输出的传输能效。这些大幅度的能效升级直接解决了现代AI和云基础设施面临的功耗与散热挑战。 Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示:“随着AI持续支撑社会的进步,其应用正从生成式AI扩展到基于智能体的...

Kioxia在FMS 2026上展示面向AI时代的闪存存储创新技术

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia group将在8月4日至6日于加州圣克拉拉举办的FMS:未来内存与存储展上展示其闪存和固态硬盘(SSD)技术(包括专为GPU直接访问进行优化的KIOXIA GP1系列PCIe® 6.0 NVMe™超高IOPS SSD)如何赋能下一代AI基础设施。通过主旨演讲、高管圆桌讨论、技术讲座和技术演示,Kioxia将全面展示驱动下一代AI基础设施所需的性能、可扩展性和效率的创新技术。 FMS 2026上的亮点包括近期发布的KIOXIA CM10系列PCIe® 6.0企业级SSD和KIOXIA NX1系列SSD,这两款产品均支持直接液冷。专为AI和现代数据中心环境设计的KIOXIA CM10系列SSD是首款采用BiCS FLASH™第十代闪存的企业级驱动器,而KIOXIA NX1系列则代表了新一代E1.S PCIe® 5.0 NVMe™数据中心SSD。 在FMS 2026上,Kioxia将发表主旨演讲并参与多场涵盖广泛议题的会议。 主旨演讲: 《利用闪存和SSD为AI时代重新定义数据中心存储...
Back to Newsroom