キオクシアとサンディスク、北上工場第2製造棟において第10世代3次元フラッシュメモリの生産を開始

増加するNAND需要に対応し、製造インフラの整備を継続的に推進

東京 & カリフォルニア州ミルピタス--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは、北上工場（岩手県北上市）の第2製造棟（以下、K2棟）において、第10世代3次元フラッシュメモリの生産を開始しました。これは、革新的なフラッシュメモリに対する高い需要に応えるため、両社が複数年にわたり着実なビット成長を推進している中で実現した重要な節目です。

今回の生産開始にあわせて、両社はK2棟の「お披露目セレモニー」を開催しました。K2棟は2025年9月に稼働を開始し、これまでは第8世代3次元フラッシュメモリを生産していましたが、第10世代製品の導入により、生産規模のさらなる拡大を進めます。第8世代および第10世代の3次元フラッシュメモリはいずれも、革新的なCBA（CMOS directly Bonded to Array）技術を採用しており、高性能・大容量・低消費電力を実現しています。

K2棟は、地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、生産効率を向上させるために人工知能（AI）などの最新技術の適用範囲を拡大するほか、生産設備の設置効率を高めるスペース効率に優れたデザインを採用しています。

今年、キオクシアとサンディスクは、両社の合弁事業を2034年12月まで延長することを発表しました。両社のパートナーシップは、長年にわたりNANDフラッシュメモリの技術革新を牽引してきました。このK2棟への継続的な投資は、両社が示しているビット成長目標の達成に沿って、最先端のフラッシュメモリ技術を安定的かつ大規模に提供し続けるための基盤となり、合弁事業の長期的な成功を支えていきます。

北上工場を運営するキオクシア岩手株式会社の代表取締役社長である柴山耕一郎は次のように述べています。「北上において最先端の第10世代フラッシュメモリ製品を生産することを大変喜ばしく思います。K2棟で生産する第8世代とその先の世代のフラッシュメモリ製品は、急速に伸長するAI市場に新たな価値を提供します。キオクシアは引き続き両社のパートナーシップとスケールメリットを生かし、先端のフラッシュメモリ製品を生産し、持続的な成長を達成していきます。そして、国内・地域経済や半導体関連産業の発展に貢献してまいります。」

「本日の北上市での祝賀と今回の節目となる成果は、キオクシアとの強固なパートナーシップと、NANDフラッシュ技術の革新を共に推進するという両社の揺るぎないコミットメントを象徴するものです」と、サンディスクコーポレーションの最高技術責任者のAlper Ilkbahar（アルパー・イルクバハール）は述べました。
「キオクシアとの合弁事業および今回の3Dフラッシュメモリ製造における成果は、日米協力の大きな価値を示すものであり、高性能フラッシュ技術に対する需要の拡大を支える持続的な投資戦略の推進にもつながっています。」

キオクシアとサンディスクは、26年以上にわたり築き上げてきたジョイントベンチャーパートナーシップを活かし、今後も3次元フラッシュメモリの共同開発および市場動向に沿った共同投資を通じてシナジー効果を最大限発揮し、それぞれの競争力を強化してメモリ分野におけるリーダーシップを強化していきます。