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キオクシア：AI時代をリードするキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2026で提案

フラッシュメモリとSSDによる次世代AIインフラの実現に向けた最新技術を紹介

original AI時代をリードするキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2026で提案

AI時代をリードするキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2026で提案

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、8月4日から8月6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」に出展します。AIアプリケーション向けにGPUによるダイレクトアクセスと最大1,000万IOPS注1の高速ランダムリードを実現するSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を含む、フラッシュメモリおよびSSD技術がもたらす次世代AIインフラへの貢献について紹介します。次世代AIインフラに求められる性能、拡張性および電力効率の向上を実現する最新のイノベーションを基調講演、エグゼクティブパネルディスカッション、技術セッション、技術デモンストレーションを通じて提案します。

キオクシアは、先日発表したKIOXIA CM10シリーズPCIe® 6.0エンタープライズSSDおよびKIOXIA NX1シリーズSSDを展示します。両シリーズは直接液冷（DLC: Direct Liquid Cooling）方式に対応し、 AIや最新のデータセンター環境向けに設計されたKIOXIA CM10シリーズは、第10世代BiCS FLASH™フラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSDであり、KIOXIA NX1シリーズは新世代のE1.Sフォームファクターを採用したPCIe® 5.0 NVMe™データセンターSSDです。

キオクシアは、FMS2026にて下記の基調講演やさまざまなセッションに登壇します。

キオクシアの主な展示と講演：

1. 基調講演

"Redefining Data Center Storage for the AI Era with Flash Memory and SSDs"

  • 日時：2026年8月4日（月）11:10（PDT：現地米国西海岸の太平洋夏時間）
  • 会場：Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor
  • 講演者：松寺 克樹（キオクシア株式会社 メモリ事業部・メモリ応用技術統括部 技術統括部長）、ネビル・イチャポリア（キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部門 シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャー）

2. NVIDIAスペシャルセッション

"Balancing Memory and Storage to Operate AI Factories and Agents at Scale"

  • 会場：Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor
  • 日時：2026年8月6日（木）11:00（PDT）
  • 講演者：ローリー・ボルト（キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部 シニア・フェロー兼プリンシパル・アーキテクト）

3. パネルディスカッション"Storage in Accelerator-Centric Architectures"

  • 日時：2026年8月6日（水）9:45（PDT）
  • 会場：Ballroom G, Hyatt Regency Santa Clara, Lobby Floor
  • 講演者：イリヤ・チェルカソフ（キオクシアアメリカ社 エンタープライズSSD部門 プリンシパルエンジニア）

4. 当社ブースでの展示・デモ（ブース番号：#307）

  • KIOXIA GP1シリーズ：GPU近接ワークロード向け1000万IOPSの512バイトランダムリード性能のSuper High IOPS SSD
  • KIOXIA NX1シリーズ：AI向け液冷対応データセンターNVMe™ SSD
  • KIOXIA CM10シリーズ：PCIe® 6.0対応エンタープライズNVMe™ SSD
  • KIOXIA CM9シリーズ：エンタープライズNVMe™ SSDによるAI推論性能向上のためのコンテキストメモリキャッシング
  • KIOXIA LC9シリーズ：245.76TB NVMe™ SSDによる大規模データセットの高速検索向け大容量QLCストレージ
  • オープンソースソフトウェアKIOXIA AiSAQ™：AI推論向けベクトルデータベースの拡張性向上
  • 第10世代BiCS FLASH™：CMOS directly Bonded to Array (CBA)技術と横方向微細化技術の強化による332層構造
  • XL-FLASH™搭載CXL™メモリモジュール：XL-FLASH™によるメモリ拡張ソリューション
  • UFS 5.0：AI対応の高性能モバイルメモリソリューション
  • 低遅延QLCフラッシュメモリ：AIアプリケーション向け32ダイ積層の大容量BGAパッケージ

関連リンク：

FMS 2026の公式サイト
AIを支えるストレージソリューション

注1　読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。

  • 記憶容量：1 MB (1メガバイト) ＝1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) ＝1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • PCIeはPCI-SIGの商標です。
  • CXLはCompute Express Link Consortium, Inc.の商標です。
  • UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
  • その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
キオクシア株式会社
プロモーションマネジメント部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

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