Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（简称“Toshiba”）今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

随着生成式人工智能（AI）的快速发展，电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，Toshiba开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。

TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构^[1]，实现了业界领先^[2]的单位面积低导通电阻（R_DS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比，TW007D120E将R_DS(on)DS(on)A降低了约58%^[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即R_DS(on)×Q_gd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%^[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。

这款新产品采用QDPAK封装，支持顶部冷却。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。

Toshiba计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展其产品阵容，包括面向车载应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，Toshiba将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。

TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助。

注：
[1]在半导体衬底中形成微细沟槽，并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。
[2]截至2026年5月的Toshiba调研。
[3]新开发的1200V SiC MOSFET与Toshiba第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。截至2026年5月的Toshiba调研。

应用

• 数据中心电源（AC-DC、DC-DC）
• 光伏逆变器
• 不间断电源（UPS）
• 电动汽车充电站
• 储能系统
• 工业电机

特性

• 低导通电阻和低_DS(on)A
• 低开关损耗和低_DS(on)× Q_gd
• 较低的栅极驱动电压：V_{GS_ON}=15V至18V
• 高热性能QDPAK封装

主要规格

（除非另有说明，Tvj=25°C）
器件型号				TW007D120E
封装	名称			QDPAK
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）			1200
	漏极电流（DC）ID（A）	Tc=25°C		172
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(on)（mΩ）	VGS=15V	典型值	7.0
	栅极阈值电压Vth（V）	VDS=10V		3.0至5.0
	总栅极电荷Qg（nC）	VGS=15V	典型值	317
	栅极-漏极电荷Qgd（nC）	VGS=15V	典型值	33
	输入电容Ciss（pF）	VDS=800V	典型值	13972
	二极管正向电压VSD（V）	VGS=0V	典型值	3.2
注：开发中产品的规格和时间计划如有变更，恕不另行通知。

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SiC功率器件

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

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