IMEC ottiene una tensione di rottura GaN da record di oltre 650 V per il substrato QST™ da 300 mm di Shin-Etsu Chemical

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--QST^TM, un substrato di crescita GaN da 300 mm sviluppato da Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (sede: Tokyo; presidente: Yasuhiko Saitoh; d'ora innanzi denominata "Shin-Etsu Chemical"), è stato inserito nel programma di sviluppo dispositivi di potenza GaN da 300 mm all'IMEC, dove è in corso la valutazione dei campioni; in questo processo di valutazione, il dispositivo HEMT dello spessore di 5 µm basato su un substrato QST^TM ha raggiunto una resistenza di tensione da record, di oltre 650 V, per un substrato da 300 mm.

Shin-Etsu Chemical, su licenza di QROMIS, Inc. (sede: California, USA, CEO: Cem Basceri; d'ora innanzi denominata "QROMIS"), produce substrati QST™ da 150 mm e 200 mm, oltre a substrati epitassiali GaN-on-QST™ di diversi diametri.

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