IMEC behaalt wereldrecord GaN-doorslagspanning van meer dan 650 V op 300 mm QST™-substraat van Shin-Etsu Chemical

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Het QST^TM-substraat, een 300 mm GaN-groeisubstraat dat is ontwikkeld door Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (hoofdkantoor: Tokio; president: Yasuhiko Saitoh; hierna ‘Shin-Etsu Chemical’), is geselecteerd voor het ontwikkelingsprogramma voor 300 mm GaN-vermogensapparatuur bij IMEC, waar momenteel monsters worden geëvalueerd. Bij de evaluatie behaalde het 5 µm dikke HEMT-apparaat met een QST^TM-substraat een recordbrekende spanningsweerstand van meer dan 650 V voor een 300 mm-substraat.

Shin-Etsu Chemical, onder licentie van QROMIS, Inc. (hoofdkantoor: Californië, VS, CEO: Cem Basceri, hierna “QROMIS”), produceert 150 mm en 200 mm QST™-substraten, evenals GaN-on-QST™-epitaxiale substraten met verschillende diameters.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.