IMEC consigue un récord mundial de tensión de ruptura del GaN superior a 650 V en el sustrato QST™ de 300 mm de Shin-Etsu Chemical

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--El sustrato QST^TM, un sustrato de crecimiento de GaN de 300 mm desarrollado por Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (sede central: Tokio; presidente: Yasuhiko Saitoh; en adelante, «Shin-Etsu Chemical»), se ha adoptado para el programa de desarrollo de dispositivos de potencia del GaN de 300 mm en IMEC, donde se están evaluando las muestras. En estas pruebas, el dispositivo HEMT de 5 µm de grosor y que utiliza un sustrato QST^TM alcanzó una resistencia a la tensión récord superior a los 650 V para un sustrato de 300 mm.

Shin-Etsu Chemical, bajo licencia de QROMIS, Inc. (sede central: California, EE. UU., director ejecutivo: Cem Basceri, en adelante «QROMIS»), produce sustratos QST™ de 150 mm y 200 mm, así como sustratos epitaxiales GaN-on-QST™ de varios diámetros.

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