Kioxia en Sandisk kondigen de start aan van Fab2 in de fabriek in Kitakami, Japan, om te voldoen aan de marktvraag die wordt aangedreven door AI

TOKIO & MILPITAS, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een dochteronderneming van Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) en Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK), hebben vandaag de start aangekondigd van Fab2 (K2), een ultramoderne halfgeleiderfabriek in de Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Fab2 heeft de capaciteit om achtste generatie 218-laags 3D-flashgeheugen te produceren, met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS directly Bonded to Array) van de bedrijven, en toekomstige geavanceerde 3D-flashgeheugenknooppunten om te voldoen aan de groeiende vraag naar opslag gedreven door AI. De productiecapaciteit van Fab2 zal geleidelijk aan worden opgevoerd, in lijn met de markttrends. Naar verwachting zal de productie in de eerste helft van 2026 goed op gang komen.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.