-

Kioxia与Sandisk宣布日本北上工厂Fab2投产,以满足AI驱动的市场需求

东京和加州米尔皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)的子公司Kioxia CorporationSandisk Corporation (NASDAQ: SNDK)今日宣布,位于日本岩手县北上工厂的先进半导体制造设施Fab2 (K2)正式投产。Fab2具备生产第八代218层3D闪存的能力,采用两家公司革命性的CBA(CMOS直接键合至阵列)技术,以及未来先进的3D闪存节点,以满足AI驱动的不断增长的存储需求。Fab2的产能将根据市场趋势分阶段提升,预计于2026年上半年开始实现规模化产出。

Fab2设施采用抗震建筑结构,其设计使用了先进的节能制造设备。该设施利用人工智能提升生产效率,并采用节省空间的设施设计,以扩大洁净室中可用于制造设备的空间。根据2024年2月批准的计划,Fab2的部分投资由日本政府提供补贴。

负责运营北上工厂的Kioxia Iwate Corporation总裁兼首席执行官Koichiro Shibayama表示:“我们很高兴看到北上工厂的新Fab2设施正式投产。Fab2生产的第八代及更先进的3D闪存产品将为快速崛起的AI市场提供新价值。我们将继续利用合作伙伴关系和规模经济生产先进闪存产品,实现企业有机增长。Kioxia将继续为半导体行业的进步以及地方和国内经济的发展做出贡献。”

Sandisk闪存前端运营高级副总裁Maitreyee Mahajani表示:“随着AI的不断发展,它将改变各个行业、重新定义职业,并以我们目前难以想象的方式重塑日常生活。闪存在这一变革中处于核心地位,为下一波创新释放所需的速度、效率和可扩展性。我们为与Kioxia的长期合作伙伴关系及其提供的规模优势感到自豪,这使我们的客户能够充分利用AI带来的机遇。”

Kioxia与Sandisk已建立了超过20年的成功合资伙伴关系,并将继续通过联合开发3D闪存并根据市场趋势进行资本投资来最大限度地发挥协同效应和提升竞争力。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

关于Sandisk

Sandisk (Nasdaq: SNDK)提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术,在人们追求理想的当下满足个人和企业的需求,使他们能够不断前行并拓展新的可能性。敬请在InstagramFacebookXLinkedInYouTube上关注Sandisk,并在Instagram上加入Sandisk团队

©2025 Sandisk Corporation或其附属公司版权所有。保留所有权利。Sandisk和Sandisk标识是Sandisk Corporation或其附属公司在美国和/或其他国家的注册商标或商标。所有其他标志均为其各自所有者的财产。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kioxia联系人:
投资者:kioxia-ir@kioxia.com
媒体:kioxia-hd-pr@kioxia.com

Sandisk联系人:
投资者:investors@sandisk.com
媒体:mediainquiries@sandisk.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia推出适用于大容量移动存储的QLC UFS 4.1嵌入式闪存器件

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation(铠侠)是全球领先的内存解决方案提供商,今天宣布该公司采用每单元4位的四层单元(QLC)技术的新款通用闪存1(UFS)版本4.1嵌入式内存器件开始送样。新款器件专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计,采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM 3D闪存技术。 QLC UFS相比传统TLC UFS具有更高的位密度,非常适合需要大存储容量的移动应用。得益于控制器技术和纠错技术的进步,让QLC技术能够在实现这一目标的同时,保持有竞争力的性能。 在这些技术进步的基础上,Kioxia的新款器件实现了显著的性能提升2。与上一代(UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS)相比,Kioxia的QLC UFS将顺序写入速度提升了25%,将随机读取速度提升了90%,并将随机写入速度提升了95%3。写放大系数(WAF)也提升了最高3.5倍(在禁用WriteBooster的情况下)。 Kioxia QLC UFS不仅非常适合智能手机和平板电脑,此外同样支持需要更高容量和性能的新型产...

Kioxia入选Clarivate 2026年全球百强创新机构

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation已被评为“Clarivate 2026年全球百强创新机构”之一,该奖项由Clarivate Plc颁发,旨在表彰全球最具创新性的公司。这是Kioxia第五次获得这一久负盛名的奖项,彰显了其在知识产权领域取得的成就。 Clarivate 2026年全球百强创新机构奖授予全世界最具创新性的公司和组织,评选基于Clarivate对知识产权和专利趋势的专有分析。该方法论采用了一种模型来衡量创新,重点关注持续高水平的创新表现和规模化创新,其中所有创意均享有平等的竞争机会。 秉承“用‘记忆’让世界更美好”的使命,Kioxia将凭借其创新技术开创闪存新时代,推动有助于支持AI的普及应用和未来数字社会的研究和技术发展。Kioxia将继续保护并有效利用其知识产权,并积极开展各项举措,以增强其闪存和固态硬盘业务的竞争力。 Kioxia的技术研发与知识产权 作为闪存和固态硬盘技术领域的全球领导者,Kioxia致力于前沿的研究与开发。截至2025年12月,我们在全球拥有约15,000项已注册专利。 如需了解更多...

Kioxia推出面向PC原始设备制造商的下一代KIOXIA BG7系列固态硬盘

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日正式发布KIOXIA BG7系列固态硬盘(SSD)。该产品是业内首款集成公司最新BiCS FLASHTM第八代3D闪存的消费级解决方案,采用了创新的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术1)。KIOXIA BG7系列专为PC客户打造,可在性能、功能和能效之间实现出色平衡,适配商用/消费级笔记本电脑与台式电脑。 KIOXIA BG7固态硬盘将BiCS FLASH™第八代闪存的优化性能和能效优势赋能于各类应用场景。KIOXIA BG7系列的随机读写性能最高可达100万IOPS,顺序读取速度最高可达7000 MB/s,相较于上一代KIOXIA BG6系列产品,性能分别提升约10%和16%。得益于CBA技术带来的存储单元性能优化、高效控制电路设计和固态硬盘控制器的调校升级,该系列产品在顺序写入场景下的能效提升了约67%。 KIOXIA BG7系列进一步丰富了产品的功能配置和规格尺寸。新增的NVMe™ 2.0d协议支持可助力原始设备制造商实现更精细的功能调控。此外,除了现有的M.2 Type 2...
Back to Newsroom