Kioxia e Sandisk annunciano l’avvio dell’attività di Fab2 presso lo stabilimento giapponese di Kitakami per soddisfare la domanda di mercato trainata dall’IA

TOKYO e MILPITAS, California--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, un’affiliata Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A), e Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK) oggi hanno annunciato l’avvio dell’attività di Fab2 (K2), un impianto all’avanguardia per la produzione di dispositivi a semiconduttori, presso lo stabilimento di Kitakami nella prefettura di Iwate, in Giappone. Fab2 è in grado di produrre la memoria flash 3D a 218 strati di ottava generazione, integrando la rivoluzionaria tecnologia CBA (CMOS directly Bonded to Array) delle due aziende, oltre a futuri nodi avanzati di memoria flash 3D per rispondere alla crescente domanda di capacità di archiviazione generata dall’IA. La capacità produttiva di Fab2 aumenterà gradualmente nel tempo, in linea con l’andamento del mercato, con una produzione significativa prevista a partire dal primo semestre del 2026.

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