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Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

- 三款新元件提升工業裝置效率與功率密度 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET),搭載最新[1] 第三代SiC MOSFET晶片,並採用表面黏著TOLL封裝。這些新元件適用於工業裝置,如開關式電源和用於太陽能光電發電機的功率調節器。「TW027U65C」、「TW048U65C」和「TW083U65C」這三款MOSFET即日起開始批量出貨。

新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中採用通用表面黏著TOLL封裝的型號,相較TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝,元件體積減少80%以上,裝置功率密度也得以改善。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2],有助於降低開關損耗。其為四端子[3]封裝,可將開爾文連接用作閘極驅動的訊號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響,實現高速開關效能;以TW048U65C為例,其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品[5]降低約55%和25%[4],有助於降低裝置功率損耗。

Toshiba將繼續擴充產品陣容,為提升裝置效率和增加功率容量貢獻力量。

第三代SiC MOSFET封裝陣容

類型

封裝

通孔型

TO-247

TO-247-4L(X)

表面黏著型

DFN8×8

TOLL

註:
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 具有靠近FET晶片連接的訊號源端子的產品。
[4] 截至2025年8月,Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網站發表版本中的圖1。
[5] 採用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導通電阻的650V第三代SiC MOSFET。

應用領域

  • 伺服器、資料中心、通訊裝置等的開關式電源
  • 電動汽車充電站
  • 太陽能光電逆變器
  • 不斷電系統

產品特點

  • 表面黏著TOLL封裝:支援裝置小型化與自動化組裝。開關損耗低。
  • Toshiba第三代SiC MOSFET:
    - 最佳化漂移電阻與溝道電阻比,實現漏源導通電阻良好的溫度相依性。
    - 低漏源導通電阻×柵漏電荷積
    - 低二極體正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要規格

(除非另有說明,否則Ta=25℃)

零件編號

TW027U65C

TW048U65C

TW083U65C

封裝

名稱

TOLL

尺寸(mm)

典型值

9.9×11.68×2.3

絕對
最大
額定值

漏源電壓 VDSS (V)

650

柵源電壓 VGSS (V)

-10至25

漏極電流(直流)ID (A)

Tc=25°C

57

39

28

電氣
特性

漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ)

VGS=18V

典型值

27

48

83

閘極閾值電壓 Vth (V)

VDS=10V

3.0至5.0

總閘極電荷 Qg (nC)

VGS=18V

典型值

65

41

28

柵漏電荷 Qgd (nC)

VGS=18V

典型值

10

6.2

3.9

輸入電容 Ciss (pF)

VDS=400V

典型值

2288

1362

873

二極體正向電壓 VDSF (V)

VGS=-5V

典型值

-1.35

樣品檢查及供應情況

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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

如需瞭解更多資訊,請造訪 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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