東芝：産業用機器の高効率化、高電力密度化に貢献する650V耐圧第3世代SiC MOSFETのTOLLパッケージ製品発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、当社最新^[注1]の第３世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを面実装のTOLLパッケージに搭載した、650V耐圧の3製品「TW027U65C」、「TW048U65C」、「TW083U65C」を製品化しました。本日から量産出荷を開始します。

新製品は、汎用的な表面実装パッケージのTOLLを採用した第３世代SiC MOSFETです。従来のリード挿入型パッケージ (TO-247、TO-247-4L(X)) と比較して、体積を80%以上削減しており、機器の電力密度の向上に貢献します。

さらに、リード挿入型パッケージと比べて寄生インピーダンス^[注2]が小さく、スイッチング損失の低減に寄与します。加えて、4端子タイプ^[注３] であるため、ゲートドライブ用信号ソース端子をケルビン接続することで、パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を小さくでき、高速スイッチング性能を実現します。
これにより、例えばTW048U65Cでは、当社既存製品^[注4]と比較してターンオン損失を約55%、ターンオフ損失を約25%低減^[注5]でき、機器の電力損失の低減に貢献します。

当社は、今後も機器の電力の高効率化と大容量化に貢献する製品ラインアップを拡充していきます。

第3世代SiC MOSFETのパッケージラインアップ
タイプ	パッケージ名
リード挿入タイプ	TO-247
	TO-247-4L(X)
表面実装タイプ	DFN8×8
	TOLL

[注1] 2025年8月現在。
[注2] 抵抗、インダクタンスなど。
[注3] FETチップに近い位置に信号用のソース端子が接続されている製品。
[注4] 650V第3世代SiC MOSFETで耐圧、オン抵抗が同等で、TO-247パッケージのケルビン接続非対応製品。
[注5] 2025年8月現在、当社実測値。 (当社HPに掲載の本ニュースリリースにて図１をご参照ください。)

応用機器

• スイッチング電源（データセンターなどのサーバー、通信機器など）
• EV充電スタンド
• 太陽光発電用インバーター
• 無停電電源装置 (UPS)

新製品の主な特長

• 表面実装(TOLL)パッケージを採用：機器の小型化、実装工程の自動化が可能。低スイッチング損失。
• 当社第3世代SiC MOSFET採用：
  - ドリフト抵抗とチャネル抵抗比の最適化による、ドレイン・ソース間オン抵抗の良好な温度依存性。
  - ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い。
  - 順方向電圧(ダイオード)が低い：V_DSF=-1.35V(typ.) (V_GS=-5V)

新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25℃)
品番				TW027U65C	TW048U65C	TW083U65C
パッケージ	名称			TOLL
	サイズ (mm)		Typ.	9.9×11.68×2.3
絶対最大定格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)			650
	ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)			-10～25
	ドレイン電流 (DC) ID (A)	Tc=25°C		57	39	28
電気的 特性	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (mΩ)	VGS=18V	Typ.	27	48	83
	ゲートしきい値電圧 Vth (V)	VDS=10V		3.0～5.0
	ゲート入力電荷量 Qg (nC)	VGS=18V	Typ.	65	41	28
	ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd (nC)	VGS=18V	Typ.	10	6.2	3.9
	入力容量 Ciss (pF)	VDS=400V	Typ.	2288	1362	873
	順方向電圧 (ダイオード) VDSF (V)	VGS=-5V	Typ.	-1.35
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