-

Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

- 三款新元件提升工業裝置效率與功率密度 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET),搭載最新[1] 第三代SiC MOSFET晶片,並採用表面黏著TOLL封裝。這些新元件適用於工業裝置,如開關式電源和用於太陽能光電發電機的功率調節器。「TW027U65C」、「TW048U65C」和「TW083U65C」這三款MOSFET即日起開始批量出貨。

新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中採用通用表面黏著TOLL封裝的型號,相較TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝,元件體積減少80%以上,裝置功率密度也得以改善。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2],有助於降低開關損耗。其為四端子[3]封裝,可將開爾文連接用作閘極驅動的訊號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響,實現高速開關效能;以TW048U65C為例,其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品[5]降低約55%和25%[4],有助於降低裝置功率損耗。

Toshiba將繼續擴充產品陣容,為提升裝置效率和增加功率容量貢獻力量。

第三代SiC MOSFET封裝陣容

類型

封裝

通孔型

TO-247

TO-247-4L(X)

表面黏著型

DFN8×8

TOLL

註:
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 具有靠近FET晶片連接的訊號源端子的產品。
[4] 截至2025年8月,Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網站發表版本中的圖1。
[5] 採用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導通電阻的650V第三代SiC MOSFET。

應用領域

  • 伺服器、資料中心、通訊裝置等的開關式電源
  • 電動汽車充電站
  • 太陽能光電逆變器
  • 不斷電系統

產品特點

  • 表面黏著TOLL封裝:支援裝置小型化與自動化組裝。開關損耗低。
  • Toshiba第三代SiC MOSFET:
    - 最佳化漂移電阻與溝道電阻比,實現漏源導通電阻良好的溫度相依性。
    - 低漏源導通電阻×柵漏電荷積
    - 低二極體正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要規格

(除非另有說明,否則Ta=25℃)

零件編號

TW027U65C

TW048U65C

TW083U65C

封裝

名稱

TOLL

尺寸(mm)

典型值

9.9×11.68×2.3

絕對
最大
額定值

漏源電壓 VDSS (V)

650

柵源電壓 VGSS (V)

-10至25

漏極電流(直流)ID (A)

Tc=25°C

57

39

28

電氣
特性

漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ)

VGS=18V

典型值

27

48

83

閘極閾值電壓 Vth (V)

VDS=10V

3.0至5.0

總閘極電荷 Qg (nC)

VGS=18V

典型值

65

41

28

柵漏電荷 Qgd (nC)

VGS=18V

典型值

10

6.2

3.9

輸入電容 Ciss (pF)

VDS=400V

典型值

2288

1362

873

二極體正向電壓 VDSF (V)

VGS=-5V

典型值

-1.35

樣品檢查及供應情況

線上購買

線上購買

線上購買

請點選以下連結,瞭解有關新產品的更多資訊。
TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C

請點選以下連結,瞭解有關Toshiba的SiC功率元件的更多資訊。
SiC功率元件

如欲查看線上經銷商處新產品的可用性,請造訪:
TW027U65C
線上購買

TW048U65C
線上購買

TW083U65C
線上購買

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)為公告發表之日的最新資訊,但如有更改,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

如需瞭解更多資訊,請造訪 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶查詢:
功率和小訊號元件銷售與行銷部
電話:+81-44-548-2216
聯絡我們

媒體查詢:
C. Nagasawa
傳播與市場情報部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客戶查詢:
功率和小訊號元件銷售與行銷部
電話:+81-44-548-2216
聯絡我們

媒體查詢:
C. Nagasawa
傳播與市場情報部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba擴充四通道標準數位隔離器產品線,將協助降低工業裝置功耗

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")擴充了其DCL34xx0B系列工業裝置用四通道標準數位隔離器,新增四款產品。該系列的所有產品均具備每通道0.2mA(典型值)的低電流消耗[1],採用小型SSOP16封裝,並支援中速通訊[2]。 這四款新產品包括:設定為四個正向通道和零個反向通道的「DCL340L0B」和「DCL340H0B」,以及設定為兩個正向通道和兩個反向通道的「DCL342L0B」和「DCL342H0B」。 在可程式化邏輯控制器(PLC)、執行器和逆變器等工業裝置中,防止裝置故障、異常傳播以及雜訊引起的故障至關重要,而雜訊會隨著裝置運行速度的提高而增大。這些問題均透過電氣隔離來解決,即在不同電位(如高壓與低壓)的電路之間傳輸訊號,從而推動了對能在雜訊環境中保持穩定運行的安全、高可靠性隔離元件的需求。除了卓越的可靠性外,隨著裝置日益精簡,隔離元件也比以往任何時候都更需要具備更小的尺寸和更長的使用壽命。 此外,降低整體系統功耗...

Toshiba推出80V N型通道功率MOSFET,採用最新一代製程以提升AI資料中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (「Toshiba」)已推出TPM1R408RH,這是一款80V N型通道功率MOSFET,採用U-MOS11-H製程製造,該製程為Toshiba最新一代技術[1]。該MOSFET主要針對AI資料中心及通訊基地台所使用的工業設備開關式電源供應器等應用領域。產品即日起開始出貨。 隨著AI處理需求持續成長,資料中心的電力需求同步增加,而通訊基礎設施的進步進一步推動對開關式電源供應器提出更高要求,包括更高效率、更小體積(更高功率密度)以及更低電磁干擾(EMI)。由於功率損耗會直接影響系統耗電量、熱能產生與散熱負載,因此導入合適特性的功率半導體至關重要,這些特性需能在導通損耗與開關損耗之間取得平衡式降低,同時有助於整體系統最佳化,包括提升EMI抑制能力、散熱設計以及安裝便利性。 TPM1R408RH採用最佳化的元件結構,實現汲源導通電阻1.4mΩ(最大值)[2]相較於「TPM1R908QM」(Toshiba上一代U-MOS...

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...
Back to Newsroom