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Toshiba推出TOLL封装650V第三代SiC MOSFET

- 三款新器件提升工业设备效率与功率密度 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备,如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。

新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比,器件体积减少80%以上,设备功率密度也得以改善。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2],有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装,可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响,实现高速开关性能;以TW048U65C为例,其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%和25%[4],有助于降低设备功率损耗。

Toshiba将继续扩展产品阵容,为提升设备效率和增加功率容量做出贡献。

第三代SiC MOSFET封装阵容

类型

封装

通孔型

TO-247

TO-247-4L(X)

表面贴装型

DFN8×8

TOLL

注:
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 具有靠近FET芯片连接的信号源端子的产品。
[4] 截至2025年8月,Toshiba测量值。详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。
[5] 采用无开尔文连接TO-247封装的具有同等电压和导通电阻的650V第三代SiC MOSFET。

应用领域

  • 服务器、数据中心、通信设备等的开关式电源
  • 电动汽车充电站
  • 光伏逆变器
  • 不间断电源

产品特点

  • 表面贴装TOLL封装:支持设备小型化与自动化组装。开关损耗低。
  • Toshiba第三代SiC MOSFET:
    - 优化漂移电阻与沟道电阻比,实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。
    - 低漏源导通电阻×栅漏电荷积
    - 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要规格

(除非另有说明,否则Ta=25℃)

部件编号

TW027U65C

TW048U65C

TW083U65C

封装

名称

TOLL

尺寸(mm)

典型值

9.9×11.68×2.3

绝对
最大
额定值

漏源电压 VDSS (V)

650

栅源电压 VGSS (V)

-10至25

漏极电流(直流)ID (A)

Tc=25°C

57

39

28

电气
特性

漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)

VGS=18V

典型值

27

48

83

栅极阈值电压 Vth (V)

VDS=10V

3.0至5.0

总栅极电荷 Qg (nC)

VGS=18V

典型值

65

41

28

栅漏电荷 Qgd (nC)

VGS=18V

典型值

10

6.2

3.9

输入电容 Ciss (pF)

VDS=400V

典型值

2288

1362

873

二极管正向电压 VDSF (V)

VGS=-5V

典型值

-1.35

样品检查及供应情况

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工,以实现产品价值最大化,与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来,让全世界的所有人受益为目标。

如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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