-

Toshiba推出額定工作溫度135℃的小型光繼電器,適用於高溫裝置運行

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出四款採用小型S‑VSON4T封裝的電壓驅動型光繼電器:「TLP3407SRB」、「TLP3412SRB」、「TLP3412SRHB」和「TLP3412SRLB」。新款光繼電器額定最高工作溫度達135℃,可用於高溫運行的裝置。批量出貨自即日起開始。

電氣化和自動駕駛技術的進步如今要求車載裝置中的電子元件採用高密度封裝。這提高了車載半導體的工作溫度,因此需要在相近條件下進行測試以評估可靠性;用於車載半導體的測試儀、燒機測試裝置、探針卡等裝置,以及其中使用的光繼電器,都必須能夠在高溫下工作。

Toshiba透過內建元件設計的最佳化,將新產品的最高工作溫度從現有產品[1]的125℃提升至135℃。此外,由於新產品為電壓驅動型光繼電器,輸入端內建電阻,因此無需外接電阻,可節省電路板安裝空間。產品還採用尺寸為1.45 × 2.0 mm(典型值)的S‑VSON4T小型封裝。

這些因素的結合使新款光繼電器適用於車載半導體測試儀、探針卡和燒機測試裝置等需要在有限的電路板空間內安裝多顆光繼電器,並且要求可靠高溫運行的場景。

Toshiba將持續推出支援裝置高溫運行的系列產品。

註:
[1] TLP3407SRA、TLP3412SRA、TLP3412SRHA和TLP3412SRLA

應用領域

  • 用於評估記憶體、SoC、LSI等的半導體測試儀
  • 探針卡
  • 燒機測試裝置

產品特點

  • 額定工作溫度:135°C
  • 小型封裝:S-VSON4T(1.45mm×2.0mm(典型值))

主要規格

(除非另有說明,否則Ta=25°C)

TLP3407SRB

TLP3412SRB

TLP3412SRHB

TLP3412SRLB

封裝

名稱

S-VSON4T

尺寸(mm)

1.45×2.0(典型值),t=1.4(最大值)

觸點類型

1-Form-A
(常開)

絕對
最大
額定值

工作溫度Topr (°C)

-40至135

關斷狀態輸出端電壓VOFF (V)

60

60

60

60

導通電流ION (A)

1

0.4

0.4

0.4

導通電流(脈衝)IONP (A)

3

1.2

1.2

1.2

推薦
運行
條件

輸入正向電壓VIN (V)

典型值

3.3

3.3

5

1.8

最大值

6

6

5.5

3.3

耦合電氣
特性

限制LED電流ILIM(LED) (mA)

VIN=5.5V,
Ta=135°C

最大值

-

-

2

-

VIN=3.3V,
Ta=135°C

最大值

1

2

-

-

VIN=1.8V,
Ta=135°C

最大值

-

-

-

10

工作電壓VFON (V)

ION=100mA

最大值

3

3

3.9

1.6

導通電阻RON (Ω)

最大值

0.3

1.5

1.5

1.5

電氣
特性

輸出電容COFF (pF)

V=0V,
f=1MHz,
t<1s

最大值

150

20

20

20

關斷狀態電流IOFF (nA)

VOFF=50V

最大值

1

1

1

1

開關
特性

導通時間tON (ms)

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=5.0V

最大值

-

-

1.5

-

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=3.3V

最大值

10

1

-

0.1

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=1.8V

最大值

-

-

-

0.3

關斷時間tOFF (ms)

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=5.0V

最大值

-

-

0.5

-

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=3.3V

最大值

1

0.5

-

0.225

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=1.8V

最大值

-

-

-

0.15

隔離
特性

隔離電壓BVS (Vrms )

AC, 60s

最小值

500

500

500

500

樣品檢查及供應情況

線上購買

線上購買

線上購買

線上購買

相關資訊

技術文章
帶高速開關的小型光繼電器
低電壓驅動、支援高溫運行的小巧型光繼電器

請點選以下連結,瞭解有關新產品的更多資訊。
TLP3407SRB
TLP3412SRB
TLP3412SRHB
TLP3412SRLB

請點選以下連結,瞭解有關Toshiba隔離器和固態繼電器的更多資訊。
隔離器/固態繼電器

如欲查看線上經銷商處新產品的供應情況,請造訪:
TLP3407SRB
線上購買
TLP3412SRB
線上購買
TLP3412SRHB
線上購買
TLP3412SRLB
線上購買

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)為公告發表之日的最新資訊,但如有更改,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的17,000名員工致力於最大限度提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

如需瞭解更多資訊,請造訪 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶查詢
光電元件銷售與行銷部
電話:+81-44-548-2218
聯絡我們

媒體查詢:
C. Nagasawa
傳播與市場情報部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客戶查詢
光電元件銷售與行銷部
電話:+81-44-548-2218
聯絡我們

媒體查詢:
C. Nagasawa
傳播與市場情報部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...

Toshiba開始出貨TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器工程樣品,搭載用於系統控制應用的Arm® Cortex®-M4內核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器[1],這些微控制器搭載帶有浮點運算器(FPU)的Arm® Cortex®-M4內核。全新微控制器專為消費產品(如冷氣機、洗衣機)以及工業設備(包括多功能事務機、工廠自動化系統)的小型系統控制應用而設計。Toshiba目前已開始提供這些新產品的工程樣品。 隨著現代消費產品和工業設備變得日益先進和多樣化,用於系統控制的微控制器必須具備更強的即時處理能力與穩定性,支援簡便的設計流程,提供長期運行所需的通用性,並具備足夠的靈活性以支援衍生產品的開發。Toshiba已透過開發專為系統控制應用而設計的TXZ+™系列入門級M4H組微控制器來因應這些挑戰,尤其注重其通用性。 這些全新微控制器被設計為入門級產品,可提供一系列基本功能。它們採用帶有FPU的Arm® Cortex®-M4內核,最高工作頻率達120MHz——這正是消費產品和工業設備所需的運算效能與回應...

提升次世代 AI 資料中心效率 Toshiba 開始出貨 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 測試樣品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱 Toshiba)今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品,此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統,亦適用於再生能源相關設備。 隨著生成式 AI 快速擴張,耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用,以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加,正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求,將有助於降低耗電量,並推動電源供應系統實現小型化與高效化。 TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1],達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A);透過更低的導通電阻減少導通損耗,同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比,TW007D120E 的 RDS...
Back to Newsroom