-

Toshiba推出额定工作温度135℃的小型光继电器,适用于高温设备运行

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出四款采用小型S‑VSON4T封装的电压驱动型光继电器:“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。新款光继电器额定最高工作温度达135℃,可用于高温运行的设备。批量出货自即日起开始。

电气化和自动驾驶技术的进步如今要求车载设备中的电子元件采用高密度封装。这提高了车载半导体的工作温度,因此需要在相近条件下进行测试以评估可靠性;用于车载半导体的测试仪、老化测试设备、探针卡等装置,以及其中使用的光继电器,都必须能够在高温下工作。

Toshiba通过优化内置元件设计,将新产品的最高工作温度从现有产品[1]的125℃提升至135℃。此外,由于新产品为电压驱动型光继电器,输入端内置电阻,因此无需外接电阻,可节省电路板安装空间。产品还采用尺寸为1.45 × 2.0 mm(典型值)的S‑VSON4T小型封装。

这些因素的结合使新款光继电器适用于车载半导体测试仪、探针卡和老化测试设备等需要在有限的电路板空间内安装多颗光继电器,并且要求可靠高温运行的场景。

Toshiba将持续推出支持设备高温运行的系列产品。

注:
[1] TLP3407SRA、TLP3412SRA、TLP3412SRHA和TLP3412SRLA

应用领域

  • 用于评估存储器、SoC、LSI等的半导体测试仪
  • 探针卡
  • 老化测试设备

产品特点

  • 额定工作温度:135°C
  • 小型封装:S-VSON4T(1.45mm×2.0mm(典型值))

主要规格

(除非另有说明,否则Ta=25°C)

TLP3407SRB

TLP3412SRB

TLP3412SRHB

TLP3412SRLB

封装

名称

S-VSON4T

尺寸(mm)

1.45×2.0(典型值),t=1.4(最大值)

触点类型

1-Form-A
(常开)

绝对
最大
额定值

工作温度Topr (°C)

-40至135

关断状态输出端电压VOFF (V)

60

60

60

60

导通电流ION (A)

1

0.4

0.4

0.4

导通电流(脉冲)IONP (A)

3

1.2

1.2

1.2

推荐
运行
条件

输入正向电压VIN (V)

典型值

3.3

3.3

5

1.8

最大值

6

6

5.5

3.3

耦合电气
特性

限制LED电流ILIM(LED) (mA)

VIN=5.5V,
Ta=135°C

最大值

-

-

2

-

VIN=3.3V,
Ta=135°C

最大值

1

2

-

-

VIN=1.8V,
Ta=135°C

最大值

-

-

-

10

工作电压VFON (V)

ION=100mA

最大值

3

3

3.9

1.6

导通电阻RON (Ω)

最大值

0.3

1.5

1.5

1.5

电气
特性

输出电容COFF (pF)

V=0V,
f=1MHz,
t<1s

最大值

150

20

20

20

关断状态电流IOFF (nA)

VOFF=50V

最大值

1

1

1

1

开关
特性

导通时间tON (ms)

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=5.0V

最大值

-

-

1.5

-

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=3.3V

最大值

10

1

-

0.1

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=1.8V

最大值

-

-

-

0.3

关断时间tOFF (ms)

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=5.0V

最大值

-

-

0.5

-

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=3.3V

最大值

1

0.5

-

0.225

RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=1.8V

最大值

-

-

-

0.15

隔离
特性

隔离电压BVS (Vrms )

AC, 60s

最小值

500

500

500

500

样品检查及供应情况

在线购买

在线购买

在线购买

在线购买

相关信息

技术文章
带高速开关的小型光继电器
低电压驱动、支持高温运行的紧凑型光继电器

请点击以下链接,了解有关新产品的更多信息。
TLP3407SRB
TLP3412SRB
TLP3412SRHB
TLP3412SRLB

请点击以下链接,了解有关Toshiba隔离器和固态继电器的更多信息。
隔离器/固态继电器

如需查看在线分销商处新产品的供应情况,请访问:
TLP3407SRB
在线购买
TLP3412SRB
在线购买
TLP3412SRHB
在线购买
TLP3412SRLB
在线购买

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系方式)为公告发布之日的最新信息,但如有更改,恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球的17,000名员工致力于最大限度提高产品价值,并促进与客户的密切合作,共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询
光电器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
C. Nagasawa
传播与市场情报部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询
光电器件销售与营销部
电话:+81-44-548-2218
联系我们

媒体垂询:
C. Nagasawa
传播与市场情报部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作温度达125°C的工业设备用四通道高速标准数字隔离器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工业设备用四通道高速标准数字隔离器,进一步扩充了其数字隔离器产品线。该系列包含10款新产品,均采用SOIC16-W封装,最高工作温度可达125°C。批量出货自即日起开始。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的广泛应用,使得设计可在高温条件下运行的工业设备成为可能。然而,在隔离信号传输中,输入和输出之间的电磁噪声可能会导致故障,这使得市场对能实现稳定控制信号传输、同时兼具高抗噪性与高可靠性的隔离器件的需求日益增长。 Toshiba新型数字隔离器支持高达125°C的最高工作温度。得益于公司专有的磁耦合隔离传输技术[1],该系列产品还实现了高达150kV/μs(典型值)[2]的高共模瞬态抗扰度(CMTI),从而助力设备稳定运行。 新产品提供多种通道配置:4个正向通道和0个反向通道;3个正向通道和1个反向通道;以及2个正向通道和2个反向通道。这种灵活性使其能够广泛...

Toshiba开始出货TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器工程样品,搭载用于系统控制应用的Arm® Cortex®-M4内核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器[1],这些微控制器搭载带有浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核。全新微控制器专为消费产品(如空调、洗衣机)以及工业设备(包括多功能打印机、工厂自动化系统)的小型系统控制应用而设计。Toshiba目前已开始提供这些新产品的工程样品。 随着现代消费产品和工业设备变得日益先进和多样化,用于系统控制的微控制器必须具备更强的实时处理能力与稳定性,支持简便的设计流程,提供长期运行所需的通用性,并具备足够的灵活性以支持衍生产品的开发。Toshiba已通过开发专为系统控制应用而设计的TXZ+™系列入门级M4H组微控制器来应对这些挑战,尤其注重其通用性。 这些全新微控制器被设计为入门级产品,可提供一系列基本功能。它们采用带有FPU的Arm® Cortex®-M4内核,最高工作频率达120MHz——这正是消费产品和工业设备所需的计算性能与响应...

Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(简称“Toshiba”)今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式人工智能(AI)的快速发展,电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求,Toshiba开发了TW007D120E,该产品将有助于降低功耗,并实现电源系统的小型化和更高效率。 TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1],实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻(RDS(on)A);其通过更低的导通电阻降低导通损耗,同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比,TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约5...
Back to Newsroom