キオクシア：AIを拡張するキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2025で提案

業界最大容量245.76 TB SSDなど、AIインフラに貢献する革新的なストレージを紹介

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシアグループ（以下、キオクシア）は、8月5日から8月7日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」に出展し、フラッシュメモリとSSDのAIインフラの拡張性と効率への貢献を紹介します。実際の用途と性能の向上に焦点を当て、データセンターとエンタープライズ環境全体において、AIの進化に伴い高まるストレージへの要求に対応するキオクシアの最新ソリューションを提案します。

キオクシアは、業界初^[注1]の大容量245.76テラバイト（TB）^[注2] NVMe™ SSD KIOXIA LC9シリーズなど、最新の製品と技術を紹介します。さらに、第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを搭載し、性能、電力効率、汎用性を実現するKIOXIA CM9シリーズとKIOXIA CD9PシリーズSSDも紹介します。またキオクシアは、第9世代と第10世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ技術を適用した1テラビット（Tb）^[注3] TLC (Triple-Level-Cell、3ビット/セル)製品の展示も行います。第9世代と第10世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリは、Toggle DD6.0やPI-LLTやSCAといった技術を活用し、データの入出力速度の向上および電力消費の削減を実現しています。

キオクシアはFMS 2025にて、下記の基調講演やさまざまなセッションに登壇します。

キオクシアの主な展示と講演：

1. 基調講演
   “Optimize AI Infrastructure Investments with Flash Memory Technology and Storage Solutions”
   日時：8月5日11:00（PDT：現地米国西海岸の太平洋夏時間）
   会場：Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor
   講演者：松寺 克樹（キオクシア株式会社 メモリ事業部・メモリ応用技術統括部 技術統括部長）、ネビル・イチャポリア（キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部門 シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャー）
   
   
2. Executive AI Premier Level Panel
   “Memory and Storage Scaling for AI Inferencing”
   日時：8月7日 11:00（PDT）
   会場：Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor
   講演者：ローリー・ボルト（キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部 シニア・フェロー兼プリンシパル・アーキテクト）
   
   
3. 当社ブースでの展示・デモ

• 広がるユースケース - 大容量パッケージ／低遅延フラッシュメモリ： 第8世代BiCS FLASH™ QLC 3次元フラッシュメモリを32枚積層した小型BGAパッケージ／CXL™インターフェース搭載のXL-FLASH
• 第9世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ：1 Tb^[注3]ウエハーと512 Gbチップを搭載した小型BGAパッケージ
• 第10世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ：1 Tb^[注3]ウエハーとモデル展示
• KIOXIA UFS - 民生機器および車載機器：進化する市場向けの高性能ソリューション
• 大容量245.76 TB^[注2] SSD 搭載のDell PowerEdge™ 7715：KIOXIA LC9シリーズ エンタープライズ NVMe SSD
• 性能と電力のデモ：KIOXIA CD9Pシリーズ データセンター NVMe SSD
• ML Perf Storageトレーニング：KIOXIA CM9シリーズ エンタープライズ NVMe SSD
• GPUダイレクトSSDエミュレーション：1億4300万IOPSでのGPUダイレクトストレージデバイスの調査
• KIOXIA AiSAQ™ ソフトウェア：検索性能と回答精度の柔軟なバランスを実現
• RAIDオフロードとデータスクラビング：KIOXIA CM7シリーズ エンタープライズNVMe SSD

関連リンク：
FMS 2025の公式サイト
https://futurememorystorage.com/

注1  2025年8月5日現在、キオクシア調べ。

注2  SSD記憶容量：1KB (1キロバイト) ＝1,000バイト、1MB (1メガバイト) ＝1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) ＝1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、１TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイト、1KiB (1キビバイト) ＝1,024バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。

注3  フラッシュメモリの容量： 1 Tb (1テラビット) ＝1,099,511,627,776 (2の40乗)ビット、1 TB (1テラバイト) ＝1,099,511,627,776 (2の40乗)バイトとして計算しています。

• UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。
• NVM Expressは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
• CXL は Compute Express Link Consortium, Inc. の商標です。
• Dell、PowerEdgeは、Dell Inc.またはその関連会社の商標です。
• その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。