-

突破AI規模限制:KIOXIA在FMS 2025上展示突破性快閃記憶體儲存解決方案

公司重點推出業界首款245.76 TB固態硬碟及其他創新產品,重新定義AI驅動型基礎設施的儲存標準

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球首屈一指的儲存解決方案供應商Kioxia group將再次亮相FMS:儲存與記憶體的未來大會,聚焦其快閃記憶體和固態硬碟創新如何推動為人工智慧(AI)打造可擴充的高效基礎設施。Kioxia將以實際應用和效能提升為側重點,展示其最新解決方案如何滿足資料中心和企業環境中AI不斷演變的需求。

Kioxia將重點展示其最新產品,包括高容量的Kioxia LC9系列——這是業界首款1245.76兆位元組(TB)2 NVMe™固態硬碟。其他亮點包括KIOXIA CM9系列KIOXIA CD9P系列固態硬碟,這些產品採用了該公司的第八代BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體技術,在效能、能效和多功能性方面表現卓越。Kioxia還將展示1兆位元(Tb)3 3位元/單元(TLC)產品,這些產品搭載了第九代和第十代BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體技術。第九代和第十代BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體融合了Toggle DD6.0介面標準,採用SCA(獨立命令位址)協議和創新的介面命令位址輸入方式,以及PI-LTT(功率隔離式低抽頭終端)技術,從而提升資料輸入輸出速度並降低功耗。

在FMS 2025上,Kioxia將舉辦主題演講和技術會議,內容涵蓋以下主題:

  1. FMS 2025主題演講:
    「借助快閃記憶體技術和儲存解決方案實現AI基礎設施投資最佳化」
    太平洋夏令時間8月5日(週二)上午11:00
    地點:Mission City宴會廳,聖塔克拉拉會議中心一樓
    演講者:Kioxia Corporation儲存技術行銷管理部總經理Katsuki Matsudera、KIOXIA America, Inc.固態硬碟事業部資深副總裁兼總經理Neville Ichhaporia
  2. 高階主管級AI頂級圓桌論壇:
    「AI推理的記憶體與儲存擴充」
    太平洋夏令時間8月7日(週四)上午11:00
    地點:Mission City宴會廳,聖塔克拉拉會議中心一樓
    演講者:KIOXIA America Inc.固態硬碟事業部資深研究員兼首席架構師Rory Bolt
  3. KIOXIA攤位示範
    產品和技術示範將在展廳內極具代表性的KIOXIA雙層307號攤位進行,該攤位設有10個獨立展示區,示範內容包括:
  • 擴充使用案例——高容量封裝/低延遲快閃記憶體:採用第八代BiCS FLASHTM QLC 3D快閃記憶體/XL-FLASH的32晶片堆疊小尺寸BGA封裝,配備CXL™介面
  • KIOXIA第九代BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體:1 Tb3晶圓及搭載512Gb晶片的小尺寸BGA封裝
  • KIOXIA第十代BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體:1 Tb3晶圓及模型展示
  • KIOXIA UFS——消費級與汽車級:針對不斷發展市場的高效能解決方案
  • Dell PowerEdge™ 7715伺服器中的245.76 TB2高容量固態硬碟:搭載KIOXIA LC9系列企業級NVMe固態硬碟
  • 效能與功耗示範:搭載KIOXIA CD9P系列資料中心級NVMe固態硬碟
  • ML Perf儲存訓練:搭載KIOXIA CM9系列企業級NVMe固態硬碟
  • GPU直連固態硬碟模擬:測試1.43億IOPS的GPU直連儲存裝置
  • KIOXIA AiSAQ™軟體:實現容量與效能的靈活平衡
  • RAID解除安裝與資料清理:搭載KIOXIA CM7系列企業級NVMe固態硬碟

相關連結:
FMS 2025官網
https://futurememorystorage.com/

註:

1: 截至2025年8月5日。依據Kioxia Corporation的調查結果。

2: 固態硬碟容量定義:Kioxia Corporation將千位元組(KB)定義為1000位元組,百萬位元組(MB)定義為1,000,000位元組,十億位元組(GB)定義為1,000,000,000位元組,兆位元組(TB)定義為1,000,000,000,000位元組,而千二進位位元組(KiB)為1024位元組。然而,電腦作業系統使用2的冪次方來報告儲存容量,即1GB = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組,1TB = 2^40位元組 = 1,099,511,627,776位元組,因此顯示的儲存容量較少。可用儲存容量(包括各種媒體文件的範例)將根據文件大小、格式、設定、軟體和作業系統,以及/或者預先安裝的軟體應用程式或媒體內容而異。實際格式化容量可能會有所不同。

3: 快閃記憶體容量計算方式為1兆位元(1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40)位元,1兆位元組(1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40)位元組。

通用快閃記憶體儲存(UFS)是一類符合JEDEC UFS標準規範的內建式儲存產品。

NVMe是NVM Express, Inc.在美國和其他國家的註冊或未注冊商標。

CXL是Compute Express Link Consortium, Inc.的商標。

Dell、PowerEdge和其他商標均為Dell Inc.或其子公司的商標。

其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。

關於Kioxia

Kioxia是全球儲存解決方案領域的領軍企業,致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身Toshiba Memory於2017年4月從1987年發明NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇,並為社會創造以儲存技術為基礎的價值,從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域(包括先進智慧型手機、PC、汽車系統、資料中心和生成式AI系統)的未來。

*本文件中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)在公告發表之日是正確的,但如有更改,恕不另行通知。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體查詢:
Kioxia Corporation
推廣管理部
Satoshi Shindo
電話:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒體查詢:
Kioxia Corporation
推廣管理部
Satoshi Shindo
電話:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固態硬碟與Microchip的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID儲存加速器達成相容

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5吋KIOXIA CM7系列企業級PCIe®5.0 NVMe™ 2.0、KIOXIA CD8P系列資料中心級PCIe 5.0 NVMe 2.0及KIOXIA CD8系列資料中心級PCIe 4.0 NVMe 1.4固態硬碟,已成功完成與Microchip Technology Inc. Adaptec®SmartRAID 4300系列RAID儲存加速卡的相容性及互通性測試。 Adaptec SmartRAID 4300加速器支援多達32個NVMe固態硬碟,每個硬碟皆透過其專用通道直接連接至CPU。此設計消除了傳統單一x16主機介面通常會遇到的PCIe效能瓶頸,使得每個固態硬碟均能發揮巔峰效能。這項創新架構提供了卓越的傳輸吞吐量與IOPS,使其成為資料密集型企業應用的理想解決方案。次世代資料中心基礎架構的成功,仰賴於生態系統的合作與互通性,以確保當前及未來技術能實現無縫整合。 Microchip名稱與Adaptec為Microchip Technology Inc.於美國及其...

KIOXIA AiSAQ™技術已整合至Milvus向量資料庫

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近鄰搜尋(ANNS)軟體技術KIOXIA AiSAQ™已從Milvus 2.6.4版本起正式整合到這款開放原始碼向量資料庫中。透過此次整合,Milvus使用者可充分利用KIOXIA AiSAQ™經SSD最佳化的向量搜尋能力,為開發者和企業提供一條實用且具有成本效益的AI應用程式擴充路徑,無需面對大規模向量搜尋通常伴隨的DRAM記憶體擴容難題。 AI產業正從建構大規模基礎模型,轉向部署可擴充、具有成本效益的推理解決方案以因應真實世界挑戰。檢索增強生成(RAG)是這一轉型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技術的研發初衷,就是協助社群利用以SSD為基礎的向量架構。其融入Milvus生態系統後,不僅降低了開放原始碼社群的採用門檻,還能支援開發者打造更快、更高效的AI應用程式。 KIOXIA AiSAQ™於今年稍早首次發表,是一款開放原始碼軟體技術,透過將所有與RAG相關的資料庫元素儲存在SSD上,大幅提升向量可擴充性*1。隨著DRAM可擴充性成為海量推理和RAG工作負載的關鍵...

Kioxia研發核心技術,推動高密度低功耗3D DRAM的實際應用

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布,已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術,該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相,可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代,市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限,業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術,以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料,這種方式會推高製造成本,同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術,該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中,我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術,並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...
Back to Newsroom