-

Kioxia is geselecteerd in Clarivate Top 100 Global Innovators 2025

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation werd genomineerd als een van de Clarivate Top 100 Global Innovators 2025, een award die wordt toegekend aan de meest innovatieve bedrijven ter wereld door Clarivate Plc. Dit is de vierde keer dat Kioxia deze prestigieuze award in ontvangst mag nemen, als erkenning van haar verwezenlijking op gebied van intellectueel eigendom.

De Clarivate Top 100 Global Innovators 2025 Awards werden toegekend aan de meest innovatieve bedrijven en organisaties ter wereld op basis van Clarivate’s eigen analyse van intellectueel eigendom en patententrends. De methodologie maakt gebruik van een model dat innovatie meet en de aandacht toespitst op consistente hoge prestaties en schaal in innovatief vermogen, waar alle ideeën op gelijke wijze wedijveren.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Industry:

Kioxia Corporation

Release Versions
EnglishSpanishPortugueseGermanFrenchItalian (Summary)Dutch (Summary)Chinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia en Sandisk onthullen 3D-flashgeheugentechnologie van de volgende generatie met een interfacesnelheid van 4,8 Gb/s NAND

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation en Sandisk Corporation hebben baanbrekend werk verricht met een geavanceerde 3D-flashgeheugentechnologie, die de norm stelt voor de sector. De innovatie levert een NAND-interfacesnelheid van 4,8 Gb/s, superieure energie-efficiëntie en een hogere dichtheid. De nieuwe 3D-flashgeheugentechnologie werd onthuld op ISSCC 2025 en bevat samen met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS direct Bonded to Array) van het bedrijf een van de nieuwste interfa...

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt OCTRAM-technologie (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider in geheugenoplossingen, kondigde vandaag aan dat het OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) heeft ontwikkeld. Het gaat om een nieuw type 4F 2 DRAM, dat bestaat uit een oxide-semiconductortransistor die tegelijkertijd een hoge AAN-stroom en een ultralage UIT-stroom heeft. Naar verwachting zal deze technologie een DRAM met een laag stroomverbruik zal realiseren door de ultralage lekkage-eigenschap van de InGaZnO transistor...

Samenvatting: Kioxia wordt goedgekeurd voor NEDO-project om productietechnologie voor innovatief geheugen in het kader van het post-5G-systeeminfrastructuurproject te ontwikkelen

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider in geheugenoplossingen, heeft vandaag aangekondigd dat het is goedgekeurd door het Japanse nationale onderzoeks- en ontwikkelingsagentschap, de New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), voor zijn baanbrekende voorstel over de ontwikkeling van productietechnologie voor innovatief geheugen waarmee het de post-5G informatie- en infrastructuur voor communicatiesystemen wil verbeteren. In het post-5G informatie-...
Back to Newsroom