-

Kioxia fait partie du Top 100 des innovateurs mondiaux de Clarivate pour 2025

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation figure dans le Clarivate Top 100 Global Innovators 2025, un prix décerné par Clarivate Plc aux entreprises mondiales les plus innovantes. C'est la quatrième fois que Kioxia reçoit ce prix prestigieux en reconnaissance de ses réalisations en matière de propriété intellectuelle.

Les Clarivate Top 100 Global Innovators 2025 Awards ont été décernés aux entreprises et organisations les plus innovantes du monde, sur la base de l'analyse exclusive de Clarivate de la propriété intellectuelle et des tendances en matière de brevets. La méthodologie utilise un modèle qui évalue l'innovation et se focalise sur des performances élevées et constantes et sur l'échelle de l'innovation, où toutes les idées concourent de la même manière.

Sur la base de sa mission, qui consiste à « améliorer le monde grâce à la mémoire », Kioxia cultivera une nouvelle ère de la mémoire grâce à sa technologie innovante, afin de promouvoir la recherche et le développement technologique qui soutiennent la société numérique de demain. Kioxia continue de protéger et d'utiliser efficacement sa propriété intellectuelle et de développer de manière proactive des initiatives visant à renforcer la compétitivité de ses activités dans le domaine des mémoires et des disques SSD.

Développement technologique et propriété intellectuelle de Kioxia
En tant que leader mondial des technologies de mémoire flash et de SSD, Kioxia s'engage dans la recherche et le développement de pointe. En décembre 2024, nous détenions plus de 14 000 brevets enregistrés dans le monde entier.

Pour plus d'informations sur le Top 100 Global Innovators 2025, veuillez consulter le site suivant :
https://clarivate.com/top-100-innovators/

Communiqué de presse de Clarivate
https://clarivate.com/newsroom/

À propos de Kioxia

Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, dédié au développement, à la production et à la vente de mémoire flash et de disques à semi-conducteurs (SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory a été séparé de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. Kioxia s’engage à améliorer le monde grâce à la « mémoire » en offrant des produits, des services et des systèmes qui créent un choix pour les clients et une valeur basée sur la mémoire pour la société. La technologie innovante de mémoire flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage dans les applications à haute densité, notamment les smartphones avancés, les PC, les systèmes automobiles, les centres de données et les systèmes d’IA générative.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Kota Yamaji
Relations Publiques
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
Relations Publiques
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia et Sandisk dévoilent une technologie de mémoire flash 3D de nouvelle génération atteignant une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gbit/s

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation et Sandisk Corporation ont mis au point une technologie de pointe pour les mémoires flash 3D, établissant une référence dans l’industrie avec une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gbit/s, une efficacité énergétique supérieure et une densité accrue. Dévoilée à l’ISSCC 2025, cette innovation en matière de mémoire flash 3D, associée à la technologie révolutionnaire CBA (CMOS directement lié à la matrice)1 des deux sociétés, intègre l’une des dernièr...

Kioxia développe la technologie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd'hui le développement de la technologie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), un nouveau type de DRAM avec architecture 4F2, composée d'un transistor semi-conducteur à oxyde qui possède à la fois un un courant ON élevé et un courant OFF ultra-faible. Cette technologie devrait permettre d'obtenir une DRAM à faible consommation d'énergie en mettant en valeur la propriété de fuite...

Kioxia est adopté pour le projet NEDO visant à développer une technologie de fabrication pour une mémoire innovante dans le cadre du projet d'infrastructure système post-5G

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, un chef de file mondial des solutions de mémoire, annonce ce jour avoir été sélectionné par l'agence nationale de recherche et développement du Japon, New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), pour sa proposition révolutionnaire sur le développement de la technologie de fabrication pour la mémoire innovante afin d'optimiser l'infrastructure du système d'information et de communication post-5G. À l'ère de l'information et de...
Back to Newsroom