-

Kioxia en Sandisk onthullen 3D-flashgeheugentechnologie van de volgende generatie met een interfacesnelheid van 4,8 Gb/s NAND

Bedrijven geven voorbeeld van 10e generatie 3D-flashgeheugentechnologie die een nieuwe maatstaf neerzet voor prestaties, energie-efficiëntie en bitdichtheid

original

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation en Sandisk Corporation hebben baanbrekend werk verricht met een geavanceerde 3D-flashgeheugentechnologie, die de norm stelt voor de sector. De innovatie levert een NAND-interfacesnelheid van 4,8 Gb/s, superieure energie-efficiëntie en een hogere dichtheid.

De nieuwe 3D-flashgeheugentechnologie werd onthuld op ISSCC 2025 en bevat samen met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS direct Bonded to Array) van het bedrijf een van de nieuwste interfacestandaarden, Toggle DDR6.0 voor NAND-flashgeheugen. Het maakt gebruik van het SCA-protocol (Separate Command Address), een nieuwe methode voor het invoeren van commandoadressen in de interface, en de PI-LTT-technologie (Power Isolated Low-Tapped Termination), die een belangrijke rol speelt bij het verder terugdringen van het stroomverbruik.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Bedrijfscontacten:
Kioxia
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Sandisk
Investeerders: Investors@sandisk.com
Media: Mediainquiries@sandisk.com

Industry:
Kioxia Corporation LogoKioxia Corporation Logo

Kioxia Corporation

Release Versions
EnglishSpanishPortugueseGermanFrenchItalian (Summary)Dutch (Summary)Chinese TraditionalChinese SimplifiedJapanese

Contacts

Bedrijfscontacten:
Kioxia
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Sandisk
Investeerders: Investors@sandisk.com
Media: Mediainquiries@sandisk.com

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt kerntechnologie die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maakt

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen i...

Samenvatting: Kioxia en Google werken samen om het gebruik van schone energie in Japan te stimuleren

YOKKAICHI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Als onderdeel van zijn streven naar een duurzamere toekomst heeft Kioxia Corporation (“Kioxia”) vandaag een samenwerkingsinitiatief met Google LLC (“Google”) aangekondigd om het gebruik van schone elektriciteit uit een waterkrachtrenovatieproject in de Japanse regio Chubu te stimuleren. Dit project, dat eigendom is van de Chubu Electric Power-groep, zal naar verwachting de jaarlijkse productie van schone energie verhogen, bijdragen aan de decarbonisatie van he...

Samenvatting: Kioxia en Sandisk kondigen de start aan van Fab2 in de fabriek in Kitakami, Japan, om te voldoen aan de marktvraag die wordt aangedreven door AI

TOKIO & MILPITAS, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een dochteronderneming van Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) en Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK), hebben vandaag de start aangekondigd van Fab2 (K2), een ultramoderne halfgeleiderfabriek in de Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Fab2 heeft de capaciteit om achtste generatie 218-laags 3D-flashgeheugen te produceren, met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS directly Bonded to Array) van de bedrijven, en toekom...
Back to Newsroom