Kioxia en Sandisk onthullen 3D-flashgeheugentechnologie van de volgende generatie met een interfacesnelheid van 4,8 Gb/s NAND

Bedrijven geven voorbeeld van 10^e generatie 3D-flashgeheugentechnologie die een nieuwe maatstaf neerzet voor prestaties, energie-efficiëntie en bitdichtheid

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation en Sandisk Corporation hebben baanbrekend werk verricht met een geavanceerde 3D-flashgeheugentechnologie, die de norm stelt voor de sector. De innovatie levert een NAND-interfacesnelheid van 4,8 Gb/s, superieure energie-efficiëntie en een hogere dichtheid.

De nieuwe 3D-flashgeheugentechnologie werd onthuld op ISSCC 2025 en bevat samen met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS direct Bonded to Array) van het bedrijf een van de nieuwste interfacestandaarden, Toggle DDR6.0 voor NAND-flashgeheugen. Het maakt gebruik van het SCA-protocol (Separate Command Address), een nieuwe methode voor het invoeren van commandoadressen in de interface, en de PI-LTT-technologie (Power Isolated Low-Tapped Termination), die een belangrijke rol speelt bij het verder terugdringen van het stroomverbruik.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.