Kioxia e Sandisk presentano la tecnologia delle memorie flash 3D di nuova generazione che raggiungono velocità dell’interfaccia NAND pari a 4,8 Gb/s

Le due aziende mostrano in anteprima la tecnologia delle memorie flash 3D di 10^a generazione che stabilisce un nuovo livello di riferimento per le prestazioni, l’efficienza del consumo di potenza e la densità dei bit

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation e Sandisk Corporation hanno sviluppato un’innovativa tecnologia delle memorie flash 3D stabilendo il benchmark del settore grazie a una velocità dell’interfaccia NAND pari a 4,8 Gb/s, efficienza superiore del consumo di potenza e maggiore densità dei bit.

Presentata all’ISSCC 2025, la tecnologia avanzata delle memorie flash 3D, insieme all’innovativa tecnologia del legame diretto tra il wafer del CMOS e quello dell’array di celle (CBA), incorpora uno degli standard più recenti sull’interfaccia, Toggle DDR6.0 per la memoria flash NAND, e utilizza il protocollo SCA (Separate Command Address), un nuovo metodo di immissione dell’indirizzo di comando dell’interfaccia nonché la tecnologia PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination) che è fondamentale per ridurre ulteriormente il consumo di potenza.

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