-

キオクシアとサンディスク、4.8Gb/秒のNANDインターフェーススピードを実現する次世代の3次元フラッシュメモリ技術を発表

第10世代3次元フラッシュメモリは高性能、低消費電力、高密度の実現へ

サンフランシスコ--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは、4.8Gb/秒のNANDインターフェース速度とさらなる低消費電力化、高密度化を実現する新しい3次元フラッシュメモリ技術を開発しました。

ISSCC2025で発表する新しい3次元フラッシュメモリ技術は、両社の革新的なCBA(CMOS directly Bonded to Array)*¹ 技術とともに、最新のToggle DDR6.0 インターフェースを新たに導入し、新たなコマンドアドレス入力手法であるSCAプロトコル*² や、さらなる消費電力の低減に有効なPI-LTT*³ 技術を活用しています。

この高速化技術によって、新しい3次元フラッシュメモリは、現在量産中の第8世代3次元フラッシュメモリと比較してNANDインターフェース速度は33%の向上となる4.8Gb/秒を実現しました。またデータ入出力の電力効率を、入力時に10%、出力時に34%改善し、低消費電力と高性能が両立しています。これらの技術を導入する第10世代3次元フラッシュメモリは、積層数を332層に増やし、フロアプランの最適化による平面方向の高密度化をすることで、ビット密度が59%向上します。

キオクシアの技術統括責任者である宮島秀史は次のように述べています。「AIの普及に伴い、生成されるデータ量は大幅に増加し、データセンターにおいて電力効率の向上が求められます。本技術により、大容量、高速、低消費電力のSSDをはじめとする将来のストレージソリューション向けの製品展開を実現し、AIの発展を支えることができると信じています。」

サンディスクの戦略兼技術統括のAlper Ilkbahar(アルパー・イルクバハル)は次のように述べています。「AIの活用が進むにつれ、顧客のメモリへのニーズの多様性が広がります。CBA技術を活用し、容量、速度、性能と投資効率を最適に組み合わせた製品を展開することで、あらゆる市場セグメントの顧客に対応することを目指します。」

キオクシアとサンディスクは第9世代3次元フラッシュメモリも計画しています。第9世代では、CBA技術によって、新しいCMOS技術と既存のメモリセル技術を組み合わせ、投資効率が良い高性能、低消費電力の製品を展開します。両社は、今後も革新的なフラッシュメモリ技術を開発し、顧客のニーズに合わせた最適なソリューションを提供し、デジタル社会の発展に貢献してまいります。

*¹ ウエハーボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーを貼り合わせる技術
*² Separate Command Address: Command/Address入力用のバスとデータ転送用のバスを完全に異なるバスに分けて、並列で使うことで、データ入出力の時間が短くなる技術。
*³ Power Isolated Low-Tapped Termination: NANDインターフェース用の電源として、既存の1.2Vの電源に加え、より低い電圧の電源も活用し、データ入出力時の電力を低減する技術。

*1Gb/秒を1,000,000,000 ビット/秒として計算しています。各値は特定の試験環境及び条件により得られた値であり、使用する機器等の条件などによって変化します。
*記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

Forward-Looking Statements

This press release contains forward-looking statements within the meaning of federal securities laws, including statements regarding expectations for the availability, capabilities and impacts of Sandisk’s technology and products. These forward-looking statements are based on management’s current expectations and are subject to risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially from those expressed or implied in the forward-looking statements.

Key risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially from those expressed or implied in the forward-looking statements include: operational, financial and legal challenges and difficulties inherent in implementing the spin-off of Western Digital Corporation’s Flash business to Sandisk; the future operating results of the stand-alone flash business; whether the spin-off will be completed on the expected terms and on the anticipated timeline or at all, including the possibility that the conditions to the spin-off may not be satisfied, including that a governmental entity may prohibit, delay or refuse to grant a necessary approval; the expected benefits and costs of the spin-off, including that the expected benefits will not be realized within the expected time frame, in full or at all; potential adverse reactions or changes to relationships with customers, suppliers or other partners resulting from the announcement and completion of the spin-off; competitive responses to the announcement or completion of the spin-off; unexpected costs, liabilities, charges or expenses resulting from the spin-off; litigation relating to the spin-off; the inability to retain key personnel as a result of the spin-off, disruption of management time from ongoing business operations due to the spin-off; business impact of geopolitical conflicts; and any changes in general economic and/or industry-specific conditions; other economic, competitive, legal, governmental, technological and other factors that may affect the spin-off and other risks and uncertainties set forth in the final information statement attached as Exhibit 99.1 to the Sandisk Corporation’s Form 10 Registration Statement filed with the SEC on January 27, 2025, which is available on the SEC’s website at www.sec.gov. You should not place undue reliance on these forward-looking statements, which speak only as of the date hereof, and Sandisk undertakes no obligation to update or revise these forward-looking statements to reflect new information or events, except as required by law.

Contacts

Company Contacts:
Kioxia
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Sandisk
Investors: Investors@sandisk.com
Media: Mediainquiries@sandisk.com

More News From Kioxia Corporation

キオクシアとサンディスク、日本で約5兆円を投資しメモリ分野でのリーダーシップを強化

東京 & カリフォルニア州ミルピタス--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは本日、日本において、政府からの支援を前提に、2032年までに総額約5兆円(310億米ドル超)の投資を見込むことを発表しました。この投資は、産業界で最も成功した合弁事業の一つである、キオクシアとサンディスクのパートナーシップをさらに強化するものです。両社は、これまでの25年間で、日本国内において約9兆円(500億米ドル超)の設備投資を実施し、フラッシュメモリの技術革新をけん引してきました。両社は今後も、AIおよびデータ社会における需要拡大を支える先端技術の開発と生産拡大を推進し続けます。 このたびの投資は、市場動向をふまえ、四日市工場および北上工場における継続的な生産設備の構築、関連するインフラ、技術の強化を目的としています。キオクシアとサンディスクはそれぞれ、AIの社会への浸透による革新的なフラッシュメモリ技術への旺盛な需要に対応するための中長期にわたるビット成長の実現と安定供給を目指しています。これらの実現に向けた本投資は、合弁事業の...

キオクシア:北上工場 新製造棟(K3棟)の建設について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の生産能力の増強に向け、北上工場(岩手県北上市)第3製造棟(K3棟)の建設に向けた土地等の整備を開始いたしました。K3棟は第2製造棟(K2棟)の南側の土地に建設し、2029年度中の稼働開始を目指します。 フラッシュメモリ市場は、伸長著しい推論AIがけん引するエージェント型AI、フィジカルAI、オンデバイスAIなどの社会実装により、中長期的な拡大が見込まれます。当社はK3棟の建設により、社会に求められる最先端フラッシュメモリ製品の生産拡大と安定供給を通じて市場の需要拡大に応えます。 K3棟の建設時期や生産設備への投資など詳細な計画については、市場動向を踏まえて決定していきます。なおK3棟への投資については、政府からの支援を前提としています。 当社は、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、今後も将来の市場動向を踏まえ需要拡大を的確に捉え、タイムリーな設備投資を行い、着実かつ持続可能な成長を目指します。...

キオクシア:「Maker Faire Tokyo 2026」への出展について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、9月5日から9月6日まで東京・有明GYM-EX(ジメックス)で開催される「Maker Faire(メイカーフェア)Tokyo 2026」に「はたらくSSD・加速するSSD」をテーマに出展します。デジタル社会のあらゆる場面を支えるキオクシアのフラッシュメモリ技術を使った法人向けSSD製品の展示や、自由な発想と工夫で作り上げたIn-Storage Computation技術注1による自作SSDのデモ、SSDの活用事例を中心に紹介したSSD同人誌第5号の配布を行います。 「Maker Faire」は、団体や個人などの「Maker(作り手)」が、自由な発想と工夫で作った作品の展示やデモを行うDIY(Do It Yourself)モノづくりの展示会で、毎年世界各地で開催されています。 「Maker Faire Tokyo 2026」出展の概要 1. 開催日時: • 2026年9月5日(土)12:00~18:00 • 2026年9月6日(日)10:00~17:00 ※日時指定の前売り券・当日券の入場料、来場...
Back to Newsroom