キオクシアとサンディスク、4.8Gb/秒のNANDインターフェーススピードを実現する次世代の3次元フラッシュメモリ技術を発表

第10世代3次元フラッシュメモリは高性能、低消費電力、高密度の実現へ

サンフランシスコ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは、4.8Gb/秒のNANDインターフェース速度とさらなる低消費電力化、高密度化を実現する新しい3次元フラッシュメモリ技術を開発しました。

ISSCC2025で発表する新しい3次元フラッシュメモリ技術は、両社の革新的なCBA（CMOS directly Bonded to Array）*¹ 技術とともに、最新のToggle DDR6.0 インターフェースを新たに導入し、新たなコマンドアドレス入力手法であるSCAプロトコル*² や、さらなる消費電力の低減に有効なPI-LTT*³ 技術を活用しています。

この高速化技術によって、新しい3次元フラッシュメモリは、現在量産中の第8世代3次元フラッシュメモリと比較してNANDインターフェース速度は33%の向上となる4.8Gb/秒を実現しました。またデータ入出力の電力効率を、入力時に10%、出力時に34%改善し、低消費電力と高性能が両立しています。これらの技術を導入する第10世代3次元フラッシュメモリは、積層数を332層に増やし、フロアプランの最適化による平面方向の高密度化をすることで、ビット密度が59%向上します。

キオクシアの技術統括責任者である宮島秀史は次のように述べています。「AIの普及に伴い、生成されるデータ量は大幅に増加し、データセンターにおいて電力効率の向上が求められます。本技術により、大容量、高速、低消費電力のSSDをはじめとする将来のストレージソリューション向けの製品展開を実現し、AIの発展を支えることができると信じています。」

サンディスクの戦略兼技術統括のAlper Ilkbahar（アルパー・イルクバハル）は次のように述べています。「AIの活用が進むにつれ、顧客のメモリへのニーズの多様性が広がります。CBA技術を活用し、容量、速度、性能と投資効率を最適に組み合わせた製品を展開することで、あらゆる市場セグメントの顧客に対応することを目指します。」

キオクシアとサンディスクは第9世代3次元フラッシュメモリも計画しています。第9世代では、CBA技術によって、新しいCMOS技術と既存のメモリセル技術を組み合わせ、投資効率が良い高性能、低消費電力の製品を展開します。両社は、今後も革新的なフラッシュメモリ技術を開発し、顧客のニーズに合わせた最適なソリューションを提供し、デジタル社会の発展に貢献してまいります。

*¹ ウエハーボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーを貼り合わせる技術
*² Separate Command Address: Command/Address入力用のバスとデータ転送用のバスを完全に異なるバスに分けて、並列で使うことで、データ入出力の時間が短くなる技術。
*³ Power Isolated Low-Tapped Termination: NANDインターフェース用の電源として、既存の1.2Vの電源に加え、より低い電圧の電源も活用し、データ入出力時の電力を低減する技術。

*1Gb/秒を1,000,000,000 ビット/秒として計算しています。各値は特定の試験環境及び条件により得られた値であり、使用する機器等の条件などによって変化します。
*記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

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