DNP bereikt fijne patroonresolutie op EUV-fotomaskers voor lithografie voorbij de 2nm-generatie

Begint met levering van monsters van EUV-fotomaskers met een hoge NA-waarde voor de volgende generatie halfgeleiders

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKIO: 7912) heeft met succes de fijne patroonresolutie bereikt die vereist is voor fotomaskers voor logische halfgeleiders van voorbij de 2nm (nm: 10^-9 meter) generatie¹ die Extreme Ultraviolet (EUV) lithografie ondersteunen, een baanbrekend proces in de halfgeleiderproductie.

DNP heeft ook de criteria-evaluatie afgerond voor fotomaskers die compatibel zijn met High-Numerical Aperture². Deze toepassing wordt overwogen voor de volgende generatie halfgeleiders na de 2nm-generatie. Het bedrijf is de levering van evaluatiefotomaskers gestart. High-NA EUV-lithografie maakt de vorming van fijne patronen op siliciumwafers mogelijk met een hogere resolutie dan voorheen mogelijk was. Dit zal naar verwachting de productie van krachtige halfgeleiders met een laag vermogen tot resultaat hebben.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.