DNP consegue la maggiore risoluzione necessaria per pattern dettagliati sulle fotomaschere create mediante litografia EUV per andare oltre la generazione dei 2 nm

Inizia la fornitura di campioni di fotomaschere realizzate mediante litografia High-NA EUV per dispositivi a semiconduttore di nuova generazione

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) ha conseguito l’elevata risoluzione per pattern dettagliati necessaria per creare fotomaschere per dispositivi a semiconduttori per circuiti logici di generazione che va oltre i 2 nm (1 nm = 10^-9 metri) ¹ e che supporta la litografia ultravioletta estrema (EUV) – il processo all’avanguardia per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttori.

DNP ha inoltre completato la valutazione dei criteri per fotomaschere compatibili con High-Numerical Aperture² , l’applicazione attualmente considerata per dispositivi a semiconduttore di nuova generazione che vadano oltre quella dei 2 nm e ha iniziato la fornitura di fotomaschere di valutazione. La litografia High-NA EUV rende possibile formare pattern dettagliati sui wafer di silicio con risoluzione superiore a quella finora possibile e si prevede che permetterà di realizzare dispositivi a semiconduttore a basso consumo di potenza e altamente performanti.

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