DNP erreicht feine Strukturauflösung auf EUV-Lithografie-Photomasken für die Generation jenseits von 2 nm

Musterlieferungen von High-NA-EUV-Photomasken für Halbleiter der nächsten Generation haben begonnen

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) hat die für Photomasken von Logik-Halbleitern der Generation jenseits von 2 nm (nm: 10^-9 Meter) ¹ erforderliche feine Strukturauflösung erreicht. Diese unterstützen die Extreme-Ultraviolett-(EUV)-Lithografie, einen hochmodernen Prozess in der Halbleiterfertigung.

DNP hat zudem die Kriterienbewertung für Photomasken abgeschlossen, die mit der High-Numerical Aperture²-Technologie kompatibel sind. Diese Technologie wird für Halbleiter der nächsten Generation jenseits der 2-nm-Generation in Betracht gezogen. DNP hat mit der Lieferung von Evaluierungs-Photomasken begonnen. Die High-NA-EUV-Lithografie ermöglicht die Herstellung feinster Strukturen auf Siliziumwafern mit höherer Auflösung als bisher möglich und trägt voraussichtlich zur Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Halbleiter bei.

[Entwicklung]

• Um Photomasken für die EUV-Lithografie der Generation jenseits von 2 nm zu verwirklichen, sind Muster erforderlich, die 20 % kleiner sind als die der 3-nm-Generation. Dies betrifft nicht nur die Größe und Form der Muster, sondern auch die Technologie, die erforderlich ist, um feine Strukturen aller Arten auf derselben Maskenoberfläche präzise darzustellen. Dazu gehören neben standardmäßigen geraden und rechteckigen Mustern auch zunehmend komplexe, gekrümmte Strukturen. DNP hat die für die Generation jenseits von 2 nm erforderliche Strukturauflösung durch wiederholte Verbesserungen auf Basis des bewährten Herstellungsprozesses der 3-nm-Generation erreicht.
• Photomasken für die High-NA-EUV-Lithografie erfordern eine höhere Präzision und eine feinere Verarbeitung als die für die Standard-EUV-Lithografie. DNP hat einen Herstellungsprozess entwickelt und optimiert, der sich von dem für herkömmliche EUV-Lithografie-Photomasken unterscheidet.

[In Zukunft]

DNP wird die Entwicklung von Produktionstechnologien fortsetzen, mit dem Ziel, im Geschäftsjahr 2027 mit der Massenproduktion von Photomasken für Logik-Halbleiter der 2-nm-Generation zu beginnen.

Wir werden auch weiterhin mit imec zusammenarbeiten, um die Entwicklung von Technologien zur Herstellung von Photomasken mit Blick auf die 1-nm-Generation zu fördern.

1: Konformität mit IRDS-Standards

2: Die Numerische Apertur (NA) ist eine Kennzahl, die die Helligkeit und Auflösung eines optischen Systems angibt. High-NA bezeichnet die Erweiterung der NA der Linse in EUV-Belichtungsgeräten von der herkömmlichen Größe von 0,33 auf 0,55.

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Über DNP

DNP wurde 1876 gegründet und hat sich zu einem weltweit führenden Unternehmen entwickelt, das druckbasierte Lösungen nutzt, um neue Geschäftsmöglichkeiten zu erschließen und gleichzeitig die Umwelt zu schützen und eine lebenswertere Welt für alle zu schaffen. Wir nutzen unsere Kernkompetenzen in der Mikrofabrikation und Präzisionsbeschichtungstechnologie, um Produkte für die Märkte Display, elektronische Geräte und optische Folien anzubieten. Darüber hinaus haben wir neue Produkte wie Vapor Chamber und Reflect Array entwickelt, die Kommunikationslösungen der nächsten Generation für eine benutzerfreundlichere Informationsgesellschaft bieten.

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