-

Power Integrations推出InnoSwitch5离线反激式开关IC

零电压开关(ZVS)反激式拓扑结构加上先进的SR FET控制技术,可实现95%的效率、缩小电源尺寸并减少元件数目

美国加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出InnoSwitch™5-Pro系列高效率、可数字控制的反激式开关IC。这款单芯片开关IC采用创新的次级侧控制方式,无需额外使用高成本的专用高压开关即可实现零电压开关(ZVS),效率超过95%。这款新IC内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™隔离反馈功能和具有I2C接口的次级控制器,可优化紧凑型、高效率单口或多口USB PD适配器的设计和制造。其应用领域包括笔记本电脑、高端手机和其他便携式消费电子产品,包括要求支持新的USB PD EPR(扩展功率范围)协议的设计。

Power Integrations高级产品营销经理Adnaan Lokhandwala表示:“ZVS与GaN(氮化镓)相结合,能为电源注入神奇魔力。开关损耗几乎为零,并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局,其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。例如,我们曾展示过一款设计出为140W/28V的USB PD适配器,它仅使用了106个元件,体积只有4.2立方英寸(约68.8立方厘米)。InnoSwitch5-Pro IC采用的反激式拓扑相对于AHB从电路上更加容易实现,并且在通用输入电压下无论是否使用PFC级均可正常工作。”

InnoSwitch5-Pro反激式开关IC的次级侧具有无损耗输入电压检测功能,可进行自适应的DCM/CCM和ZVS控制,从而在整个输入电压和负载范围内提高效率并简化设计。该IC还具有产品下线后输出公差的补偿功能,可实现优于2%的高精度输出恒流(CC)控制,以支持UFCS协议。整体系统效率极高,可超过95%,使设计人员能够省去热管理所需的散热片、导热片和灌封材料,从而进一步减小尺寸,降低元件成本和制造复杂性。

InnoSwitch5-Pro系列反激式开关IC的主要市场包括有高功率密度要求且需满足USB PD 3.1扩展功率范围(EPR)、UFCS和其它多种充电协议的适配器、笔记本电脑适配器以及非原装单口和多口输出的充电器和适配器。

供货及相关资源

InnoSwitch5-Pro器件基于10,000片的订货量单价为每片2.40美元。如需更多信息,请联系Power Integrations销售代表或访问power.com

关于Power Integrations

Power Integrations, Inc.是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分,可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和使用。有关详细信息,请访问网站www.power.com

Power Integrations、Power Integrations徽标、InnoSwitch和PowiGaN是Power Integrations, Inc.的商标或注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

Contacts

媒体联系人
Annie Tang 唐琦
Power Integrations
Annie.tang@power.com

Power Integrations, Inc.

NASDAQ:POWI


Contacts

媒体联系人
Annie Tang 唐琦
Power Integrations
Annie.tang@power.com

More News From Power Integrations, Inc.

Power Integrations推出节省空间的超薄型辅助电源参考设计,适用于NVIDIA的Kyber 800VDC AI数据中心应用

中国台湾台北--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 台北国际电脑展(COMPUTEX)讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出两款全新超薄紧凑型辅助电源参考设计,专为800VDC AI数据中心打造。其中一款单路输出15W设计的尺寸仅为30mm×30mm,厚度为7mm;另一款隔离式、六路输出、35W设计的尺寸仅为80mm×60mm,厚度为8mm。这两款超紧凑型设计方案专为NVIDIA的Kyber液冷刀片式机架架构优化设计,可在布局密集的主配电板(PDB)上节省约30%空间,同时BOM元件数预计减少30%,进而简化设计并提升整体可靠性。这两款设计效率极高,在整个输入电压和负载范围内,效率均不低于88%。 Power Integrations高级培训经理Jason Yan表示,“Power Integrations是率先推出单HEMT 1700V GaN器件的公司,因此能够打造这款业界顶尖、高能效的反激式电源。该方案物料清单精简,同时可在800V母线电压下保持充足的安全裕量。市面上其他...

Power Integrations将反激拓扑功率范围扩展至440W,打造比谐振设计更简洁的电源方案

美国德州圣安东尼奥--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出了一项反激拓扑的突破性技术,将反激变换器的功率范围扩展至440W——远超传统上需要更复杂的LLC谐振拓扑结构所能达到的极限。全新的TOPSwitchGaN™反激式IC系列产品将该公司的突破性PowiGaN™技术与其标志性的TOPSwitch™IC架构相结合,简化了系统设计,在许多情况下无需使用散热片,缩短了设计周期,提高了可生产性,并降低了系统总成本。 Power Integrations产品营销总监Silvestro Fimiani 表示,“这不仅仅是一次产品升级——这是工程师进行电源设计方式的根本性转变。几十年来,随着功率水平的提高,设计人员不得不转向LLC等谐振拓扑。借助TOPSwitchGaN,我们将反激式拓扑推向了此前无法企及的功率范围,使工程师能够通过简单得多的架构实现高效率和高性能。” 采用TOPSwitchGaN的集成解决方案在10%至100%的负载范围内均能实现92%的效率...

Power Integrations详述适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

美国加利福尼亚州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布一份新的技术白皮书,详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit),其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上,NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作,加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。 新白皮书详细阐述了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势,揭示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800VDC架构的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外,该白皮书还表明,与堆叠式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比,单个1250V PowiGaN开关可提供...
Back to Newsroom