Toshiba发布用于工业设备的第三代SiC MOSFET，采用四引脚封装，可降低开关损耗

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)推出多款用于工业设备的碳化硅(SiC) MOSFET，称为“TWxxxZxxxC”系列，采用可降低开关损耗的四引脚TO-247-4L(X)封装和公司最新的^[1] 第三代SiC MOSFET芯片。即日起开始批量发货10款产品，其中5款产品的额定电压为650V，另外5款为1200V。

这些新产品是Toshiba首次采用四引脚TO-247-4L(X)封装的SiC MOSFET系列，支持在栅极驱动信号源端实现开尔文连接。该封装可降低封装内部源线电感的影响，提升高速开关的性能。与Toshiba现有三引脚TO-247封装产品TW045N120C相比，新TW045Z120C系列的导通损耗降低约40%，关断损耗降低约34%^[2]，从而有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计已在线发布。

未来Toshiba将继续扩大产品阵容，以顺应市场趋势，并为提高设备效率和扩大功率容量做出贡献。

注：
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月，Toshiba测量值（测试条件：V_DD=800V、V_GG=+18V/0V、I_D=20A、R_G=4.7Ω、L=100μH、T_a=25°C）

应用

• 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
• 电动汽车充电站
• 光伏逆变器
• 不间断电源(UPS)

特性

• 四引脚TO-247-4L(X)封装：
  通过栅极驱动信号源端的开尔文连接来降低开关损耗
• 第三代SiC MOSFET
• 低漏源导通电阻 x 栅漏电荷
• 低二极管正向电压：V_DSF=-1.35V（典型值）(V_GS=-5V)

主要规格

					（除非另有说明，否则Ta=25°C）
部件编号	封装	绝对最大额定值			电气特性							样品检查 及 可用性
		漏源 电压 VDSS (V)	栅源 电压 VGSS (V)	漏极 电流 (DC) ID (A)	漏源 导通 电阻 RDS(ON) (mΩ)	栅极 阈值 电压 Vth (V)	总 栅极 电荷 Qg (nC)	栅漏 电荷 Qgd (nC)	输入 电容 Ciss (pF)		二极管 正向 电压 VDSF (V)
				Tc=25°C	VGS=18V	VDS=10V	VGS=18V	VGS=18V	典型值	测试 条件 VDS (V)	VGS=-5V
					典型值		典型值	典型值			典型值
TW015Z120C	TO-247-4L(X)	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	800	-1.35	在线购买
TW030Z120C				60	30		82	13	2925			在线购买
TW045Z120C				40	45		57	8.9	1969			在线购买
TW060Z120C				36	60		46	7.8	1530			在线购买
TW140Z120C				20	140		24	4.2	691			在线购买
TW015Z65C		650		100	15		128	19	4850	400		在线购买
TW027Z65C				58	27		65	10	2288			在线购买
TW048Z65C				40	48		41	6.2	1362			在线购买
TW083Z65C				30	83		28	3.9	873			在线购买
TW107Z65C				20	107		21	2.3	600			在线购买

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TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
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TW048Z65C
TW083Z65C
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，依托半个多世纪的经验与创新优势，为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工，以实现产品价值最大化为己任，与客户紧密合作，共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年销售收入近8000亿日元（61亿美元），立志为全人类创造更加美好的未来。
有关更多信息，请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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